脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

丘鹤元; 谢鑫; 李宗祥; 陈周煜; 王宝强; 王文超; 刘正; 刘耀; 刘娜妮; 王洋

doi:10.37188/CJLCD.2024-0042

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脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

器件物理及器件制备 | 更新时间：2024-05-15

- 脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响
- Effect of pulse on performance of InGaZnO thin film transistor
- “一项关于超大尺寸IGZO（InGaZnO）产品的研究显示，在高温高湿环境下，该产品容易发生异常显示不良。经研究发现，这是由于集成栅极驱动电路中的关键器件M2的转移特性曲线在评价中发生了严重正移。研究团队通过脉冲实验模拟了M2的实际工作环境，并揭示了造成不良的主要影响因素：在M2器件关闭时，漏极与源极之间的压差VDS过大，导致IGZO膜层内的氧空位VO+迁移，并最终使转移特性曲线发生正移。研究还发现，迁移的氧空位VO+经过加热后可以复原。此外，研究团队在不改变IGZO成膜条件下，通过减小M2器件关闭时的VDS压差，成功将超大尺寸IGZO产品导入，并在高温高湿信赖性评价中未出现AD不良。这一研究为解决超大尺寸IGZO产品在高温高湿环境下的显示不良问题提供了解决方案，为相关领域的研究和应用开辟了新方向。”
- 液晶与显示 2024年39卷第4期页码：466-471
- 作者机构：
  
  福州京东方光电科技有限公司，福建福州 350300
- 作者简介：
  
  [ "丘鹤元，男，硕士，高级研究员，2015年于福州大学获得硕士学位，主要从事TFT-LCD产品开发工作。E-mail：qiuheyuan@boe.com.cn" ]
  [ "谢鑫，男，硕士，资深高级工程师，2016年于哈尔滨理工大学获得硕士学位，主要从事TFT-LCD产品开发工作。E-mail：xiexinfz@boe.com.cn" ]
- 基金信息：
- DOI：10.37188/CJLCD.2024-0042
  中图分类号： TN141.9
- 收稿日期：2024-01-31，
  
  修回日期：2024-03-11，
  
  纸质出版日期：2024-04-05
- 稿件说明：
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丘鹤元, 谢鑫, 李宗祥, 等. 脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响[J]. 液晶与显示, 2024,39(4):466-471.

QIU Heyuan, XIE Xin, LI Zongxiang, et al. Effect of pulse on performance of InGaZnO thin film transistor[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2024, 39(4): 466-471.
丘鹤元, 谢鑫, 李宗祥, 等. 脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响[J]. 液晶与显示, 2024,39(4):466-471. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0042.

QIU Heyuan, XIE Xin, LI Zongxiang, et al. Effect of pulse on performance of InGaZnO thin film transistor[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2024, 39(4): 466-471. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0042.

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