Los productos IGZO (InGaZnO) de tamaño extragrande tienden a presentar fallas de visualización anormal (Abnormal Display, AD) durante la evaluación de confiabilidad con alta temperatura y alta humedad (50 ℃/80%). La principal causa de falla es el desplazamiento positivo severo en la curva de característica de transferencia del dispositivo clave M2 en el circuito integrado de control de puerta (Gate Driver On Array, GOA) durante la evaluación. Este artículo simula a través de experimentos de pulso el entorno de trabajo real del dispositivo M2 clave de GOA, reproduciendo el fenómeno de desplazamiento positivo severo en la curva de característica de transferencia. Al realizar diferentes experimentos de pulso, se identificó que el factor principal que causa la falla es: cuando el dispositivo M2 está apagado, la diferencia de voltaje V_DS entre drenaje y fuente es demasiado alta, lo que provoca que las vacantes de oxígeno V_O^+ en la capa IGZO migren bajo el campo eléctrico hacia la frontera de IGZO y GI (aislante de puerta) y hacia el extremo de la fuente. Debido a la captura de electrones por las vacantes de oxígeno V_O^+, finalmente ocurre un desplazamiento positivo en la curva de característica de transferencia, y se descubrió que las vacantes de oxígeno migradas V_O^+ pueden recuperarse después del calentamiento. Además, sin cambiar las condiciones de formación de IGZO, al reducir la diferencia de voltaje V_DS cuando el dispositivo M2 está apagado, se introdujeron productos IGZO de tamaño extragrande, sin que ocurrieran fallas AD durante 2000 horas de evaluación de confiabilidad en alta temperatura y humedad.

transistor de película delgada InGaZnO; circuito integrado de control de puerta; visualización anormal; deriva del voltaje umbral