Сверхкрупноразмерные изделия IGZO (InGaZnO) подвержены возникновению аномальных дефектов отображения (Abnormal Display, AD) при оценке надежности при высокой температуре и высокой влажности (50 ℃/80%). Основная причина дефектов — серьезный положительный сдвиг кривой характеристики переноса ключевого устройства M2 в интегрированной схеме драйвера затвора (Gate Driver On Array, GOA) в процессе оценки. В данной статье с помощью импульсных экспериментов смоделирована реальная рабочая среда ключевого устройства M2 GOA, воссоздано явление сильного положительного сдвига характеристики переноса. Путём установки различных импульсных экспериментов выявлены основные факторы, вызывающие дефект: при выключении устройства M2 напряжение V_DS между стоком и истоком слишком велико, что приводит к миграции кислородных вакансий V_O^+ в пленке IGZO под действием электрического поля к границам IGZO и GI (затворному изолятору) и к истоку. Из-за захвата электронов кислородными вакансиями V_O^+ происходит положительный сдвиг кривой характеристики переноса; обнаружено, что мигрировавшие кислородные вакансии V_O^+ могут восстанавливаться после нагрева. Кроме того, без изменения условий осаждения IGZO путем уменьшения напряжения V_DS на выключенном устройстве M2 введены сверхкрупные изделия IGZO, у которых не наблюдалось дефектов AD при тестировании надежности в условиях высокой температуры и влажности в течение 2000 часов.

тонкопленочные транзисторы InGaZnO; интегрированная схема драйвера затвора; аномальное отображение; дрейф напряжения порога