Großformatige IGZO- (InGaZnO-)Produkte neigen bei der Zuverlässigkeitsbewertung unter hohen Temperaturen und hoher Luftfeuchtigkeit (50 ℃/80 %) zu anomalen Display-Fehlern (Abnormal Display, AD). Die Hauptursache der Fehler ist die starke positive Verschiebung der Transferkennlinie des Schlüsselbauelements M2 im integrierten Gate-Treiber-Schaltkreis (Gate Driver On Array, GOA) während der Bewertung. In diesem Artikel wurden durch Pulsexperimente die tatsächlichen Arbeitsbedingungen des Schlüsselbauelements M2 im GOA simuliert, wodurch das Phänomen der starken positiven Verschiebung der Transfercharakteristik reproduziert wurde. Durch verschiedene Pulse wurde der Hauptfaktor für den Fehler aufgedeckt: Wenn das M2-Bauelement ausgeschaltet ist, ist die Spannungsdifferenz V_DS zwischen Drain und Source zu groß, wodurch Sauerstoffleerstellen V_O^+ in der IGZO-Schicht unter dem Einfluss des elektrischen Feldes sowohl zur Grenzfläche zwischen IGZO und GI (Gate-Isolator) als auch zum Source-Anschluss wandern. Aufgrund der Elektroneneinfangwirkung der Sauerstoffleerstellen V_O^+ verschiebt sich die Transferkennlinie positiv und es wurde festgestellt, dass die migrierten Sauerstoffleerstellen V_O^+ durch Erhitzen wiederhergestellt werden können. Darüber hinaus konnte durch Verringerung der V_DS-Spannungsdifferenz im ausgeschalteten Zustand des M2-Bauelements, ohne die IGZO-Filmabscheidungsbedingungen zu ändern, großformatige IGZO-Produkte eingeführt werden, die bei der 2000-stündigen Zuverlässigkeitsbewertung unter hohen Temperaturen und hoher Luftfeuchtigkeit keine AD-Fehler aufwiesen.

InGaZnO-Dünnfilmtransistor; integrierter Gate-Treiber; anomale Anzeige; Schwellspannungsverschiebung