تأثير النبض على أداء ترانزستورات رقيقة من نوع InGaZnO

QIU Heyuan ,  

XIE Xin ,  

LI Zongxiang ,  

CHEN Zhouyu ,  

WANG Baoqiang ,  

WANG Wenchao ,  

LIU Zheng ,  

LIU Yao ,  

LIU Nani ,  

WANG Yang ,  

摘要

منتجات IGZO (InGaZnO) ذات الحجم الكبير جدًا عرضة لحدوث عيوب عرض غير طبيعي (Abnormal Display، AD) أثناء تقييم الموثوقية عند درجة حرارة عالية ورطوبة عالية (50 ℃/80%). السبب الرئيسي للعيوب هو حدوث انزياح إيجابي شديد في منحنى خاصية النقل للجهاز الرئيسي M2 في دائرة قيادة البوابة المتكاملة (Gate Driver On Array، GOA) أثناء التقييم. من خلال تجربة النبضات، تم محاكاة بيئة عمل جهاز M2 الرئيسية في GOA وإعادة إنشاء ظاهرة الانزياح الإيجابي الشديد لمنحنى خاصية النقل. تكشف التجارب النبضية المختلفة أن العامل المؤثر الرئيسي للعيوب هو: عند إغلاق جهاز M2، يكون فرق الجهد بين المصرف والمصدر V_DS كبيرًا جدًا، مما يجعل فراغات الأكسجين V_O^+ داخل طبقة IGZO تهاجر تحت تأثير المجال الكهربائي تجاه حدود IGZO و GI (عازل البوابة) والطرف المصدر. وبسبب تأثير أسر الإلكترونات لفراغات الأكسجين V_O^+، يحدث انزياح إيجابي لمنحنى خاصية النقل، وتم اكتشاف أن فراغات الأكسجين المهاجرة V_O^+ يمكن استعادتها بعد التسخين. بالإضافة إلى ذلك، دون تغيير شروط تكوين طبقة IGZO، من خلال تقليل فرق الجهد V_DS عند إغلاق جهاز M2، تم إدخال منتجات IGZO ذات الحجم الكبير جدًا ولم تحدث عيوب AD أثناء تقييم الموثوقية لمدة 2000 ساعة في ظروف درجة حرارة ورطوبة عالية.

关键词

ترانزستورات رقيقة InGaZnO; دائرة قيادة البوابة المتكاملة; عرض غير طبيعي; انزياح جهد العتبة

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成,翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果,本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website