Les produits IGZO (InGaZnO) de très grande taille présentent des défauts d’affichage anormal (Abnormal Display, AD) lors de l’évaluation de la fiabilité en conditions de haute température et humidité élevée (50 ℃/80%). La cause principale de ces défauts est un déplacement positif sévère de la courbe de caractéristique de transfert du dispositif clé M2 dans le circuit pilote intégré de grille (Gate Driver On Array, GOA) lors de l’évaluation. Cet article utilise des expériences par impulsion pour simuler l’environnement de travail réel du dispositif M2 clé du GOA, reproduisant le phénomène de déplacement positif sévère de la caractéristique de transfert. Différentes expériences d’impulsions ont révélé que le facteur principal du défaut est que, lorsque le dispositif M2 est éteint, la différence de potentiel V_DS entre le drain et la source est trop élevée, ce qui fait migrer les lacunes d’oxygène V_O^+ dans la couche IGZO sous l’effet du champ électrique vers la frontière entre IGZO et GI (isolant de grille) et vers l’extrémité source. En raison de la capture d’électrons par les lacunes d’oxygène V_O^+, un déplacement positif de la caractéristique de transfert se produit. Il a été constaté que les lacunes d’oxygène V_O^+ migrées peuvent être restaurées après chauffage. En outre, sans modifier les conditions de dépôt de la couche IGZO, en réduisant la différence de potentiel V_DS lorsque le dispositif M2 est éteint, des produits IGZO de très grande taille ont été mis en œuvre, sans apparition de défaut AD lors d’une évaluation de fiabilité en conditions de température et d’humidité élevées pendant 2000 heures.

transistor à film mince InGaZnO; circuit pilote intégré de grille; affichage anormal; dérive de la tension de seuil