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Effect of pulse on performance of InGaZnO thin film transistor
Device Physics and Device Preparation | 更新时间：2024-05-15
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    • Effect of pulse on performance of InGaZnO thin film transistor

    • “一项关于超大尺寸IGZO（InGaZnO）产品的研究显示，在高温高湿环境下，该产品容易发生异常显示不良。经研究发现，这是由于集成栅极驱动电路中的关键器件M2的转移特性曲线在评价中发生了严重正移。研究团队通过脉冲实验模拟了M2的实际工作环境，并揭示了造成不良的主要影响因素：在M2器件关闭时，漏极与源极之间的压差VDS过大，导致IGZO膜层内的氧空位VO+迁移，并最终使转移特性曲线发生正移。研究还发现，迁移的氧空位VO+经过加热后可以复原。此外，研究团队在不改变IGZO成膜条件下，通过减小M2器件关闭时的VDS压差，成功将超大尺寸IGZO产品导入，并在高温高湿信赖性评价中未出现AD不良。这一研究为解决超大尺寸IGZO产品在高温高湿环境下的显示不良问题提供了解决方案，为相关领域的研究和应用开辟了新方向。”
      ”
    • Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays   Vol. 39, Issue 4, Pages: 466-471(2024)

    • DOI：10.37188/CJLCD.2024-0042    

      CLC： TN141.9

    • Published：05 April 2024，

      Received：31 January 2024，

      Revised：11 March 2024，

    扫 描 看 全 文

  • QIU Heyuan, XIE Xin, LI Zongxiang, et al. Effect of pulse on performance of InGaZnO thin film transistor. [J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays 39(4):466-471(2024) DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0042.

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