Recent progress of wafer level Micro-LED chip inspection technology

SU Hao; LI Wen-hao; LI Jun-long; LIU Hui; WANG Kun; ZHANG Yong-ai; ZHOU Xiong-tu; WU Chao-xing; GUO Tai-liang

doi:10.37188/CJLCD.2022-0392

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Recent progress of wafer level Micro-LED chip inspection technology

Device Physics and Device Preparation | 更新时间：2023-05-09

- Recent progress of wafer level Micro-LED chip inspection technology
- Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays Vol. 38, Issue 5, Pages: 582-594(2023)
- 作者机构：
  
  1.福州大学物理与信息工程学院，福建福州 350108
  2.福建江夏学院电子信息科学学院，福建福州 350108
  3.中国福建光电信息科学与技术创新实验室，福建福州 350108
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  National Key Research and Development Program of China(2021YFB3600404);Fujian Science & Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China(2020ZZ113)
- DOI：10.37188/CJLCD.2022-0392
  CLC： TN364⁺.2;TN383⁺.1
- Received：24 November 2022，
  
  Revised：16 December 2022，
  
  Published：05 May 2023
- 稿件说明：
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SU Hao, LI Wen-hao, LI Jun-long, et al. Recent progress of wafer level Micro-LED chip inspection technology[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2023, 38(5): 582-594.
DOI：

SU Hao, LI Wen-hao, LI Jun-long, et al. Recent progress of wafer level Micro-LED chip inspection technology[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2023, 38(5): 582-594. DOI： 10.37188/CJLCD.2022-0392.

摘要

随着微型氮化镓（GaN）发光二极管（LED）制造工艺的不断进步，Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中，晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截，提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量（百万数量级）、小尺寸（<50 μm）的晶圆级Micro-LED芯片阵列，现有的电学检测手段存在检测效率低、成本高等缺点。因此，提高检测效率、提升检测准确度、降低检测成本是晶圆级Micro-LED检测技术的发展趋势。本文首先介绍了晶圆级Micro-LED芯片检测时所需要检测的几个指标，其次详细介绍并分析了现有的或已经提出的检测手段，最后对晶圆级Micro-LED芯片检测技术进行总结并展望了未来技术发展方向。

Abstract

With the continuous progress in the manufacturing process of gallium nitride （GaN）‍-based light-emitting diodes （LEDs）， Micro-LED display is considered as an emerging display technology， which has broad prospects for near-eye display， large-scale displays device， flexible display， and other fields. The inspection of wafer-level Micro-LED chips can improve the yield of the screens and reduce the manufacturing cost of displayers， which is one of the key technologies related to Micro-LED display. For the inspection needs of large quantity （millions of orders） and small size （<50 μm） of wafer-level Micro-LED chip arrays， the existing electrical inspection technology has the disadvantages of low inspection efficiency and high cost. Therefore， Micro-LED chips inspection technology with improving inspection efficiency， improving inspection accuracy， and reducing inspection cost is the future development trend. In this paper， several indicators required for Micro-LED chip inspection are summarized. Then， the existing or proposed inspection methods are introduced and analyzed in detail. Finally， the future development of inspection technology is prospected.

关键词

Keywords

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