Avec les progrès continus des procédés de fabrication des diode électroluminescentes micro en nitrure de gallium (GaN), l’affichage Micro-LED devrait devenir une technologie d'affichage de nouvelle génération et briller dans les domaines de l’affichage proche de l’œil, des grands écrans haute définition et des écrans flexibles. Parmi les nombreuses étapes techniques de l’affichage Micro-LED, le contrôle des puces Micro-LED au niveau wafer est une étape clé pour la détection des pixels défectueux, l’amélioration du taux de produits fonctionnels des écrans et la réduction des coûts de fabrication des appareils complets. Pour les réseaux de puces Micro-LED au niveau wafer en grande quantité (de l’ordre du million) et de petite taille (<50 μm), les méthodes actuelles de contrôle électrique présentent des inconvénients tels qu’une faible efficacité et un coût élevé. Par conséquent, l’amélioration de l’efficacité, de la précision et la réduction des coûts de contrôle sont des tendances de développement des techniques de test Micro-LED au niveau wafer. Cet article présente d’abord les indicateurs à tester pour les puces Micro-LED au niveau wafer, puis détaille et analyse les méthodes de contrôle existantes ou proposées, et enfin résume les techniques de test actuelles et envisage les directions futures du développement technologique.

Micro-LED;détection de défauts;test par contact;test sans contact