Con el avance continuo del proceso de fabricación de diodos emisores de luz (LED) de nitruro de galio (GaN) en tamaño micro, se espera que la pantalla Micro-LED se convierta en una nueva generación de tecnología de visualización y destaque en campos como las pantallas cercanas al ojo, los dispositivos de visualización grandes y de alta definición, y las pantallas flexibles. Entre las muchas etapas técnicas de la pantalla Micro-LED, la inspección de chips Micro-LED a nivel de oblea es un paso clave para interceptar píxeles defectuosos, mejorar la tasa de productos aptos de la pantalla y reducir el costo de fabricación total del dispositivo. Para las matrices de chips Micro-LED a nivel de oblea con gran cantidad (a nivel de millones) y tamaño pequeño (<50 μm), los métodos de inspección eléctrica actuales tienen deficiencias como baja eficiencia y alto costo. Por lo tanto, mejorar la eficiencia, aumentar la precisión de la inspección y reducir el costo son tendencias en el desarrollo de tecnologías de inspección Micro-LED a nivel de oblea. En este artículo, primero se presentan los indicadores que se deben inspeccionar en los chips Micro-LED a nivel de oblea, luego se introducen y analizan detalladamente los métodos de inspección existentes o propuestos, y finalmente se resumen las técnicas de inspección y se plantean posibles direcciones futuras de desarrollo tecnológico.

Micro-LED;detección de defectos;inspección por contacto;inspección sin contacto