摘要
مع التقدم المستمر في تكنولوجيا تصنيع مصابيح الديود الباعثة للضوء النيتريدية الغاليوم الدقيقة (GaN) ، من المتوقع أن تصبح تقنية العرض Micro-LED الجيل الجديد من تقنيات العرض وتبرز في مجالات العرض القريب من العين ، وشاشات العرض عالية الدقة الكبيرة الحجم ، والشاشات المرنة. من بين العديد من مراحل تقنية العرض Micro-LED ، يعتبر فحص رقائق Micro-LED على مستوى الرقاقة خطوة أساسية لتحقيق اعتراض النقاط السيئة ، وتحسين معدل المنتجات الجيدة لشاشات العرض ، وخفض تكلفة تصنيع الأجهزة بالكامل. بالنسبة لمصفوفات رقائق Micro-LED على مستوى الرقاقة ذات الكميات الكبيرة (بالملايين) والأحجام الصغيرة (<50 ميكرومتر) ، توجد عيوب في طرق الفحص الكهربائية الحالية مثل انخفاض كفاءة الفحص وارتفاع التكلفة. لذلك ، فإن تحسين كفاءة الفحص ، وتعزيز دقته ، وتقليل التكلفة هي الاتجاهات المستقبلية لتطوير تقنيات فحص Micro-LED على مستوى الرقاقة. في هذه الورقة ، نناقش أولاً المؤشرات التي يجب فحصها لرقائق Micro-LED على مستوى الرقاقة ، ثم نعرض ونحلل بالتفصيل الطرق الحالية أو المقترحة للفحص ، وأخيراً نلخص تقنيات الفحص الحالية ونتطلع إلى اتجاهات التطور المستقبلية.
关键词
Micro-LED;فحص العيوب;الفحص التماسي;الفحص غير التماسي
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website