Mit dem kontinuierlichen Fortschritt bei der Herstellung von mikroskaligen Gallium-Nitrid (GaN) Leuchtdioden (LEDs) wird die Micro-LED-Anzeige voraussichtlich zur neuen Generation der Display-Technologie und wird in den Bereichen Nahfeldanzeige, großflächige hochauflösende Anzeigegeräte und flexible Bildschirme eine herausragende Rolle spielen. Unter den zahlreichen technischen Schritten der Micro-LED-Anzeige ist die Prüfung der Micro-LED-Chips auf Wafer-Ebene ein entscheidender Schritt zur Erkennung defekter Pixel, zur Steigerung der Ausbeute von Displays und zur Senkung der Herstellungskosten der Geräte. Für Micro-LED-Chip-Arrays auf Wafer-Ebene mit großer Stückzahl (Millionenbereich) und kleinem Maßstab (<50 μm) weisen die derzeitigen elektrischen Prüfverfahren Nachteile wie geringe Prüfgeschwindigkeit und hohe Kosten auf. Daher sind die Steigerung der Prüfeffizienz, die Verbesserung der Prüfgengenauigkeit und die Kostenreduzierung die Entwicklungstrends der Wafer-Ebene Micro-LED-Prüftechnologie. In diesem Artikel werden zunächst die Prüfindikatoren für Micro-LED-Chips auf Wafer-Ebene vorgestellt, anschließend werden bestehende und vorgeschlagene Prüfverfahren detailliert beschrieben und analysiert, und abschließend wird die Wafer-Ebene Micro-LED-Prüftechnologie zusammengefasst und zukünftige Entwicklungsperspektiven erläutert.

Micro-LED;Fehlererkennung;kontaktierende Prüfung;kontaktlose Prüfung