С развитием технологий производства миниатюрных светодиодов на основе нитрида галлия (GaN) Micro-LED дисплеи обещают стать новым поколением технологий отображения и проявить себя в областях ближнего зрения, больших высококачественных дисплеев и гибких экранов. Среди многих технических этапов Micro-LED дисплеев тестирование кристаллов Micro-LED на уровне пластин является ключевым этапом для выявления дефектных точек, повышения выхода годных дисплеев и снижения стоимости производства устройств. Для массивов кристаллов Micro-LED на уровне пластин с большим количеством (миллионы) и маленьким размером (<50 мкм) существующие электрические методы тестирования имеют недостатки, такие как низкая эффективность и высокая стоимость. Поэтому повышение эффективности, точности тестирования и снижение затрат являются тенденциями развития технологий тестирования Micro-LED на уровне пластин. В данной статье сначала представлены показатели, необходимые для тестирования кристаллов Micro-LED на уровне пластин, затем подробно описываются и анализируются существующие и предложенные методы тестирования, и в конце подводится итог и дается обзор будущих направлений развития технологий тестирования.

Micro-LED;обнаружение дефектов;контактное тестирование;бесконтактное тестирование