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有源层厚度对Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管和反相器性能的影响
器件物理及器件制备 | 更新时间：2025-09-08

    • 有源层厚度对Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管和反相器性能的影响

    • Influence of active layer thickness on performance of Al-Zn-Sn-O thin-film transistors and inverters

    • “最新研究揭示，铝锌锡氧化物薄膜晶体管性能随有源层厚度优化显著提升，为逻辑电路应用提供新思路。”
    • 液晶与显示   2025年40卷第9期 页码：1258-1267

    • DOI：10.37188/CJLCD.2025-0133    

      中图分类号： TN321+.5
    • CSTR：32172.14.CJLCD.2025-0133    

    • 收稿日期：2025-06-25，

      修回日期：2025-07-19，

      纸质出版日期：2025-09-05

    移动端阅览

  • 库来哲, 王超, 郭亮, 等. 有源层厚度对Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管和反相器性能的影响[J]. 液晶与显示, 2025,40(9):1258-1267. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0133. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0133.

    KU Laizhe, WANG Chao, GUO Liang, et al. Influence of active layer thickness on performance of Al-Zn-Sn-O thin-film transistors and inverters[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2025, 40(9): 1258-1267. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0133. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0133.

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