لفحص تأثير سمك طبقة المصدر على أداء ترانزستورات رقيقة من أكسيد الألمنيوم والزنك والقصدير (AZTO) والعاكسات ، وتعزيز تطبيقها في الدوائر المنطقية ، استخدم هذا البحث طريقة الترسيب بالرش المغناطيسي عالي التردد لإعداد أفلام AZTO بسماكات مختلفة ، وبناء جهاز AZTO-TFT ببنية بوابة قاع واتصال قمة. تمت دراسة البنية الدقيقة والمكونات للأفلام بواسطة مجهر إلكتروني ذي انبعاث مجال (SEM) وطيف إلكترونات الأشعة السينية (XPS) ، واختبار الخصائص الكهربائية للأجهزة. أظهرت النتائج أنه مع زيادة سمك طبقة AZTO النشطة ، تزداد نسبة الفراغات التأكسدية تدريجيًا. يمكن أن تقلل الفراغات التأكسدية المعتدلة من تشتت الناقلات بسبب العيوب والشوائب ، مما يقلل من مقاومة النقل ، وبالتالي يزيد من حركة تأثير الحقل ؛ في الوقت نفسه ، يسمح الجهاز في حالة التشغيل بنقل ناقلات أكثر ، مما يزيد من تيار المصدر-الصرف ونسبة الإيقاف. تشير النتائج إلى أن أفضل جودة فيلم AZTO وأفضل أداء جهاز يتحقق عند سمك طبقة نشطة 82 نم ، مع حركة تأثير الحقل بمقدار 7.47 سم2 · فولت-1 · ثانية-1 ، جهد العتبة 14.25 فولت ، انحدار تحت العتبة 1.35 فولت/عقدة ، ونسبة تيار إيقاف 6.16×10^7. وقد حقق العاكس النوعي المقاوم المصنوع بناءً على هذه الظروف المحسنة كسبًا عالياً يبلغ 8.8 عند جهد مصدر طاقة (V_DD) بقيمة 25 فولت ، مع خصائص مدى التبديل الكامل وتحمل ضوضاء جيد ، مما يمكنه من دفع مرحلة المكونات التالية في الدوائر المنطقية بفعالية.

ترانزستورات رقيقة; AZTO; عاكس نوعي مقاوم