Para investigar el efecto del grosor de la capa activa en el rendimiento de transistores de película delgada de óxido de aluminio, zinc y estaño (AZTO) y de inversores, y promover su aplicación en circuitos lógicos, este estudio emplea la técnica de pulverización por magnetrón de RF para preparar películas AZTO de diferentes grosores, construyendo dispositivos AZTO-TFT con estructura de compuerta inferior y contactos superiores. La microestructura y composición de las películas se caracterizaron mediante microscopía electrónica de emisión de campo (SEM) y espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS), y se midieron las propiedades eléctricas de los dispositivos. Se encontró que, al aumentar el grosor de la capa activa AZTO, la concentración de vacantes de oxígeno aumenta gradualmente. Un nivel moderado de vacantes de oxígeno puede disminuir la dispersión de portadores causada por defectos e impurezas, reduciendo la resistencia al transporte y mejorando la movilidad de efecto campo; al mismo tiempo, en estado de encendido, el dispositivo permite el paso de más portadores, aumentando la corriente de fuente a drenador y mejorando la relación de conmutación. Los resultados muestran que, con un grosor de capa activa de 82 nm, la calidad de la película AZTO es la mejor y el rendimiento del dispositivo óptimo, con una movilidad de efecto campo de 7,47 cm²·V⁻¹·s⁻¹, un voltaje umbral de 14,25 V, una pendiente subumbral de 1,35 V/dec y una relación corriente ON/OFF de 6,16×10⁷. El inversor con carga resistiva preparado bajo estas condiciones optimizadas obtuvo una alta ganancia de 8,8 a un voltaje de alimentación (V_DD) de 25 V, y cuenta con características de amplitud total y buena tolerancia al ruido, pudiendo conducir eficazmente la siguiente etapa del circuito lógico.

transistor de película delgada; AZTO; inversor con carga resistiva