Для исследования влияния толщины активного слоя на характеристики тонкопленочных транзисторов (TFT) на основе оксидов алюминия, цинка и олова (AZTO) и инверторов, а также для продвижения их применения в логических схемах в данной работе использован метод радиочастотного магнетронного напыления для получения пленок AZTO различной толщины. На их основе сформированы AZTO-TFT с нижним затвором и верхними контактами. Микроструктура и состав пленок были охарактеризованы методом сканирующей электронной микроскопии (SEM) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS), а электрические характеристики устройств измерены. Исследование показало, что с увеличением толщины активного слоя AZTO концентрация кислородных вакансий постепенно возрастает. Умеренное наличие вакансий кислорода ослабляет рассеяние носителей дефектами и примесями, снижая сопротивление переносу и повышая подвижность носителей в поле; одновременно в открытом состоянии устройство пропускает больше носителей, увеличивается ток сток-исток, а коэффициент переключения повышается. Результаты показывают, что при толщине активного слоя 82 нм качество пленки и характеристики устройства оптимальны: подвижность поля составляет 7,47 см²·В⁻¹·с⁻¹, напряжение порога – 14,25 В, субпороговое отклонение – 1,35 В/дек, коэффициент переключения тока – 6,16×10⁷. Инвертор с резистивной нагрузкой, изготовленный в этих условиях оптимизации, достигает высокого коэффициента усиления 8,8 при напряжении питания (V_DD) 25 В, обладает полным размахом выходного сигнала и хорошей шумовой устойчивостью, что эффективно позволяет управлять следующими ступенями логических схем.

тонкопленочные транзисторы; AZTO; резистивный нагрузочный инвертор