基于量子点浮栅的有机透明存储器

秦世贤; 马超; 邢俊杰; 李博文; 张国成

doi:10.37188/CJLCD.2023-0041

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基于量子点浮栅的有机透明存储器

器件物理及器件制备 | 更新时间：2023-07-06

- 基于量子点浮栅的有机透明存储器
- Transparent organic memory based on quantum dots floating gate
- 液晶与显示 2023年38卷第7期页码：919-925
- 作者机构：
  
  福建工程学院微电子技术研究中心，福建福州 350108
- 作者简介：
  
  [ "秦世贤（1997—），男，福建南平人，硕士研究生，2019年于福建农林大学获得学士学位，主要从事有机薄膜晶体管功能器件的研究。E-mail：1165391714@ qq.com" ]
  [ "张国成（1981—），男，湖北监利人，博士，副教授，2020 年于福州大学获得博士学位，主要从事薄膜晶体管的研究。 E-mail：zgc@fjut. edu. cn" ]
- 基金信息：
  
  福建省自然科学基金(2021J011082);科研启动基金(GY-Z20041)
- DOI：10.37188/CJLCD.2023-0041
  中图分类号： TN321⁺.5
- 收稿日期：2023-02-06，
  
  修回日期：2023-03-08，
  
  纸质出版日期：2023-07-05
- 稿件说明：
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秦世贤, 马超, 邢俊杰, 等. 基于量子点浮栅的有机透明存储器[J]. 液晶与显示, 2023,38(7):919-925.

QIN Shi-xian, MA Chao, XING Jun-jie, et al. Transparent organic memory based on quantum dots floating gate[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2023, 38(7): 919-925.
秦世贤, 马超, 邢俊杰, 等. 基于量子点浮栅的有机透明存储器[J]. 液晶与显示, 2023,38(7):919-925. DOI： 10.37188/CJLCD.2023-0041.

QIN Shi-xian, MA Chao, XING Jun-jie, et al. Transparent organic memory based on quantum dots floating gate[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2023, 38(7): 919-925. DOI： 10.37188/CJLCD.2023-0041.

摘要

为了适应新一代电子技术的日益发展，开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比，新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性，还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半导体层，PVP量子点共混作为浮栅提出了一种有机透明存储器（透明度≥83%）。器件具有超过40 V的存储窗口，编写/擦除电流比大于10

，在10

s后仍能稳定分辨开关态。本文工作为透明柔性器件提供了一种新的解决方案，并预示了它们在下一代透明有机电子领域的潜力。

Abstract

In order to meet the development of the new generation of electronic technology， it is increasingly important to develop different kinds of new memory. Compared with traditional memory， the new generation memory is required to have higher performance memory features， and meet the needs of specific applications such as flexibility， transparency， or neuromorphic functions. In this paper， an organic transparent memory （transparency ≥83%） is proposed with organic semiconductor material C8-BTBT as semiconductor layer and PVP quantμm dot blending as floating gate. The device has a memory window of more than 40 V， and the programming/erasing current ratio is more than 10

， the switching state can be resolved stably after 10

s. This paper provides a new solution for transparent flexible devices and foreshadows their potential applications in the next generation of transparent organic electronics.

关键词

Keywords

references

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