Um sich an die zunehmende Entwicklung der nächsten Generation elektronischer Technologien anzupassen, wird die Entwicklung verschiedener neuer Speicherarten immer wichtiger. Im Vergleich zu herkömmlichem Speicher erfordert die nächste Generation von Speicher nicht nur höhere Speicherleistungsmerkmale, sondern muss auch die Anforderungen spezifischer Anwendungen wie Flexibilität, Transparenz oder neuromorphe Funktionen erfüllen. In dieser Arbeit wird das organische Halbleitermaterial C8-BTBT als Halbleiterschicht verwendet, und PVP-Quantenpunkte werden als schwebendes Gate gemischt, um einen organischen transparenten Speicher (Transparenz ≥83%) vorzuschlagen. Das Gerät verfügt über ein Speicherfenster von mehr als 40 V, eine Schreib-/Löschstromquote von mehr als 10³ und kann nach 10⁴ Sekunden noch stabil die Schaltzustände unterscheiden. Diese Arbeit bietet eine neue Lösung für transparente flexible Geräte und zeigt deren Potenzial im Bereich der nächsten Generation transparenter organischer Elektronik auf.

organischer Dünnschichttransistor; Speicher; transparentes Gerät; Quantenpunkte; Schwebegatter