Para adaptarse al desarrollo creciente de la nueva generación de tecnologías electrónicas, el desarrollo de varios tipos de nuevas memorias se vuelve cada vez más importante. En comparación con las memorias tradicionales, la nueva generación de memorias no solo requiere características de memoria de mayor rendimiento, sino que también necesita cumplir con las necesidades específicas de aplicaciones como la flexibilidad, la transparencia o las funciones neuromórficas. Este artículo utiliza el material semiconductor orgánico C8-BTBT como capa semiconductor, y una mezcla de puntos cuánticos PVP como puerta flotante, proponiendo una memoria orgánica transparente (transparencia ≥83%). El dispositivo tiene una ventana de almacenamiento superior a 40 V, una relación corriente de escritura/borrado mayor a 10³, y puede distinguir de manera estable los estados de conmutación después de 10⁴ segundos. Este trabajo ofrece una nueva solución para dispositivos flexibles y transparentes, y presagia su potencial en el campo de la electrónica orgánica transparente de próxima generación.

transistor de película delgada orgánico; memoria; dispositivo transparente; puntos cuánticos; puerta flotante