Для адаптации к стремительному развитию новой генерации электронной техники разработка различных новых типов памяти становится всё более важной. По сравнению с традиционной памятью, новая генерация памяти требует не только более высоких характеристик запоминания, но и должна удовлетворять специфическим требованиям приложений, таким как гибкость, прозрачность или нейроморфные функции. В данной работе органический полупроводниковый материал C8-BTBT используется в качестве полупроводникового слоя, а квантовые точки PVP смешиваются в качестве плавающего затвора для создания органической прозрачной памяти (прозрачность ≥83%). Устройство обладает окном хранения более 40 В, соотношением тока записи/стирания более 10³, стабильно различает состояние переключения спустя 10⁴ с. Работа предлагает новое решение для прозрачных гибких устройств и демонстрирует их потенциал в области новой генерации прозрачной органической электроники.

органический тонкоплёночный транзистор; память; прозрачное устройство; квантовые точки; плавающий затвор