Pour s’adapter au développement croissant des technologies électroniques de nouvelle génération, le développement de différents types de nouveaux mémoires devient de plus en plus important. Comparée aux mémoires traditionnelles, la nouvelle génération de mémoires nécessite non seulement des performances de mémoire plus élevées, mais doit également répondre aux exigences spécifiques d’applications telles que la flexibilité, la transparence ou les fonctions neuromorphiques. Cet article utilise le matériau semi-conducteur organique C8-BTBT comme couche semi-conductrice, et un mélange de points quantiques PVP comme grille flottante, proposant une mémoire organique transparente (transparence ≥83%). Le dispositif présente une fenêtre de stockage supérieure à 40 V, un rapport courant écriture/effacement supérieur à 10³, et peut stabiliser la reconnaissance des états de commutation après 10⁴ secondes. Ce travail offre une nouvelle solution pour les dispositifs flexibles transparents et préfigure leur potentiel dans le domaine de l’électronique organique transparente de nouvelle génération.

transistor à couche mince organique; mémoire; dispositif transparent; points quantiques; grille flottante