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氧化物半导体薄膜晶体管的研发现状与发展趋势分析
器件物理及器件制备 | 更新时间：2026-05-19

    • 氧化物半导体薄膜晶体管的研发现状与发展趋势分析

    • Analysis of research status and development trends in oxide semiconductor thin-film transistors

    • 液晶与显示   2026年41卷第4期 页码：509-522

    • DOI：10.37188/CJLCD.2026-0036    

      中图分类号： TN321+.5
    • CSTR：32172.14.CJLCD.2026-0036    

    • 收稿：2026-03-13，

      修回：2026-03-20，

      纸质出版：2026-04-05

    移动端阅览

  • 熊雨婷, 任俊彦, 梁凌燕, 等. 氧化物半导体薄膜晶体管的研发现状与发展趋势分析[J]. 液晶与显示, 2026,41(4):509-522. DOI： 10.37188/CJLCD.2026-0036. CSTR： 32172.14.CJLCD.2026-0036.

    XIONG Yuting, REN Junyan, LIANG Lingyan, et al. Analysis of research status and development trends in oxide semiconductor thin-film transistors[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(4): 509-522. DOI： 10.37188/CJLCD.2026-0036. CSTR： 32172.14.CJLCD.2026-0036.

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相关作者

熊雨婷
任俊彦
梁凌燕
曹鸿涛
梁蓬霞
贺泽民
张瑞寅
苗宗成

相关机构

中国科学院 大学材料科学与光电技术学院
中国科学院 宁波材料技术与工程研究所，原子尺度与微纳制造实验室
京东方科技集团股份有限公司
西北工业大学 光电与智能研究院
西京学院 电子信息学院， 材料与能源科学技术研究院
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