Oxid-Halbleiter-Dünnschichttransistoren (Oxide Semiconductor Thin-film Transistor, OS TFT) haben sich aufgrund ihrer hohen Mobilität, hervorragenden Homogenität und niedrigen Herstellungskosten zu Kernkomponenten modernster Display-Technologien entwickelt und dehnen sich schrittweise auf integrierte Systeme wie Sensorik, Speicher und neuromorphe Berechnungen aus. Diese Arbeit basiert auf einer systematischen Analyse von Forschungsartikeln und Patentdaten im Bereich OS TFT zwischen 2016 und 2025 unter Verwendung der Web of Science- und Incopat-Datenbanken. Die Studie zeigt, dass die weltweiten F&E-Aktivitäten stark auf Ostasien konzentriert sind, wobei China und Südkorea bei der Veröffentlichung von Artikeln und Patenten führend sind. Es besteht jedoch ein deutlicher akademisch-industrieller Ungleichgewicht: Über 90 % der Artikel stammen von Universitäten und Forschungseinrichtungen, während 81,01 % der Patente Unternehmen gehören, was auf unzureichende Technologietransfers hinweist. Darüber hinaus ist die Patentkonzentration niedrig und technologische Barrieren sind noch nicht ausgebildet; Schlüsselsputtermaterialien werden weiterhin von Japan dominiert (54,55 %), was ein potenzielles Risiko für die Sicherheit der chinesischen Lieferkette darstellt. Zukünftig werden OS TFTs die traditionelle Rolle als Displaytreiber überwinden und sich tiefgehend mit Sensorik, Speicher und neuromorphen Berechnungen integrieren. Diese Arbeit analysiert die Entwicklungstrends und bestehenden Herausforderungen in diesen Bereichen.

Oxid-Halbleiter-Dünnschichttransistoren; Anzeige; Sensorik; Speicher; neuromorphe Berechnung