Analyse des Forschungsstandes und der Entwicklungstrends von Oxid-Halbleiter-Dünnfilmtransistoren

XIONG Yuting ,  

REN Junyan ,  

LIANG Lingyan ,  

CAO Hongtao ,  

摘要

Oxid-Halbleiter-Dünnfilmtransistoren (Oxide semiconductor thin-film transistor, OS TFT) sind aufgrund ihrer hohen Beweglichkeit, ausgezeichneten Homogenität und niedrigen Herstellungskosten zu wichtigen Treiberkomponenten modernster Displaytechnologien geworden und erweitern sich zunehmend in integrierte Systeme für Sensorik, Speicherung und gehirninspirierte Berechnung. Dieser Artikel basiert auf den Datenbanken Web of Science und Incopat und führt eine systematische Analyse der wissenschaftlichen Veröffentlichungen und Patente im Bereich OS TFT im Zeitraum 2016–2025 durch. Die Studie zeigt, dass die weltweiten Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten stark auf Ostasien konzentriert sind, wobei China und Südkorea bei Veröffentlichungen und Patenten führend sind. Es besteht jedoch ein deutlicher akademisch-industrieller Ungleichgewicht: Über 90 % der Veröffentlichungen stammen aus Hochschulen und Forschungsinstituten, während 81,01 % der Patente von Unternehmen gehalten werden, was auf eine unzureichende Transferleistung von Forschung zur Industrie hinweist. Zudem ist die Patentkonzentration gering, technologische Barrieren sind noch nicht gebildet; das kritische Aufdampfzielmaterial wird weiterhin von Japan dominiert (54,55 %), was ein potenzielles Risiko für die Sicherheit der chinesischen Lieferkette darstellt. Zukünftig wird OS TFT traditionelle Displaytreiber überschreiten und sich tief mit Sensorik, Speicherung und gehirninspirierter Berechnung integrieren. Dieser Artikel analysiert die Entwicklungstrends und bestehenden Herausforderungen in diesen Bereichen.

关键词

Oxid-Halbleiter-Dünnfilmtransistoren;Anzeige;Sensorik;Speicherung;gehirninspirierte Berechnung

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