Les transistors à couche mince en semi-conducteur à oxyde (Oxide Semiconductor Thin-film Transistor, OS TFT), grâce à leur haute mobilité, excellente uniformité et faible coût de fabrication, sont devenus les composants moteurs clés des technologies d'affichage de pointe, et s'étendent progressivement vers les systèmes intégrés tels que la détection, le stockage et le calcul neuromorphique. Cet article réalise une analyse systématique des publications scientifiques et brevets dans le domaine des OS TFT entre 2016 et 2025, basée sur les bases de données Web of Science et Incopat. L'étude révèle que les activités mondiales de R&D sont fortement concentrées en Asie de l'Est, la Chine et la Corée du Sud étant en tête en termes de publications et de brevets. Cependant, un déséquilibre académique-industrie est notable : plus de 90 % des publications proviennent des universités et instituts de recherche, tandis que 81,01 % des brevets sont détenus par des entreprises, indiquant un déficit de transfert entre recherche et industrie. De plus, la concentration des brevets est faible et les barrières technologiques ne sont pas encore établies ; le Japon domine toujours les matériaux cibles pour le dépôt (54,55 %), ce qui constitue un risque potentiel pour la sécurité de la chaîne industrielle chinoise. À l'avenir, les OS TFT dépasseront leur rôle traditionnel de pilotes d'affichage pour s'intégrer profondément aux domaines de la détection, du stockage et du calcul neuromorphique. Cet article analyse les tendances et les problèmes dans ces domaines.

transistor à couche mince en semi-conducteur à oxyde; affichage; détection; stockage; calcul neuromorphique