Les transistors à film mince à semi-conducteur à oxyde (Oxide semiconductor thin-film transistor, OS TFT), grâce à leur haute mobilité, leur excellente uniformité et leur faible coût de fabrication, sont devenus des composants clés des technologies d’affichage haut de gamme et s’étendent progressivement aux systèmes intégrés dans les domaines de la détection, du stockage et du calcul inspiré du cerveau. Cet article s’appuie sur les bases de données Web of Science et Incopat pour effectuer une analyse systématique des publications et brevets dans le domaine des OS TFT entre 2016 et 2025. L’étude révèle que les activités de R&D mondiales sont fortement concentrées en Asie de l’Est, la Chine et la Corée du Sud étant en tête pour la production d’articles et de brevets. Cependant, un déséquilibre notable existe entre le milieu académique et l’industrie : plus de 90 % des articles proviennent des universités et instituts de recherche, tandis que 81,01 % des brevets appartiennent aux entreprises, indiquant un manque de conversion recherche-industrie. Par ailleurs, la concentration des brevets est faible, les barrières technologiques ne sont pas encore formées ; les matériaux cibles critiques pour le dépôt par pulvérisation sont toujours dominés par le Japon (54,55 %), ce qui constitue un risque potentiel pour la sécurité de la chaîne d’approvisionnement chinoise. À l’avenir, les OS TFT dépasseront les pilotes d’affichage traditionnels pour s’intégrer profondément aux domaines de la détection, du stockage et du calcul inspiré du cerveau. Cet article analyse les tendances de développement et les problèmes existants dans ces domaines.

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