Análisis del estado de la investigación y desarrollo y las tendencias de desarrollo de los transistores de película delgada de semiconductores de óxido

XIONG Yuting ,  

REN Junyan ,  

LIANG Lingyan ,  

CAO Hongtao ,  

摘要

Los transistores de película delgada de semiconductores de óxido (Oxide Semiconductor Thin-film Transistor, OS TFT), debido a su alta movilidad, excelente uniformidad y bajo costo de fabricación, se han convertido en componentes clave en tecnologías avanzadas de visualización, y se están expandiendo progresivamente hacia sistemas integrados como sensores, almacenamiento y computación neuromórfica. Este artículo realiza un análisis sistemático de los artículos científicos y datos de patentes del campo OS TFT durante el período 2016-2025, basado en las bases de datos Web of Science e Incopat. El estudio revela que las actividades globales de I+D están altamente concentradas en Asia Oriental, con China y Corea del Sur liderando en producción de artículos y patentes. Sin embargo, existe un evidente desequilibrio académico-industrial: más del 90 % de los artículos provienen de universidades e institutos de investigación, mientras que el 81,01 % de las patentes pertenecen a empresas, indicando una insuficiente transferencia entre academia e industria. Además, la concentración de patentes es baja y las barreras tecnológicas aún no se han formado; el material clave para el sputtering sigue dominado por Japón (54,55 %), lo que representa un riesgo potencial para la seguridad de la cadena industrial china. En el futuro, los OS TFT superarán su rol tradicional como impulsores de pantallas y se integrarán profundamente con sensores, almacenamiento y computación neuromórfica. Este artículo analiza las tendencias de desarrollo y los problemas existentes en estos campos.

关键词

transistores de película delgada de semiconductores de óxido; visualización; sensores; almacenamiento; computación neuromórfica

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