氧化物TFT源栅极短路缺陷原因解析及抑制措施

刘丹; 樊小军; 陈威; 刘巍; 刘川; 杜宏伟; 杨生; 吴旭; 闵泰烨; 王章涛; 张浩雄; 谌伟; 王念念; 熊永; 黄中浩

doi:10.37188/CJLCD.2024-0338

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氧化物TFT源栅极短路缺陷原因解析及抑制措施

器件物理及器件制备 | 更新时间：2025-04-09

- 氧化物TFT源栅极短路缺陷原因解析及抑制措施
- Mechanism analysis and suppression measures for gate data short defects in oxide TFT
- “在氧化物TFT领域，研究者明确了DGS缺陷原理，识别了影响因素，并提出了解决方案，有效提升了产品品质。”
- 液晶与显示 2025年40卷第4期页码：566-576
- 作者机构：
  
  1.重庆京东方光电科技有限公司，重庆 400700
  2.联想集团质量技术委员会，北京 100006
  3.中山大学电子与信息工程学院，广东广州 510275
  4.京东方科技集团股份有限公司，北京 100176
- 作者简介：
  
  [ "刘丹，男，博士研究生，高级工程师，2014年于四川大学获得硕士学位，主要从事表面工程、微纳加工、TFT性能优化、新产品开发等工作。E-mail：ld54400398@163.com" ]
  [ "樊小军，男，硕士，联想集团技术总监，质量技术委员会副主席，2003年于哈尔滨工业大学获得硕士学位，主要从事质量创新与数字化方面的研究。E-mail： fanxjb@lenovo.com" ]
  [ "陈威，男，学士，联想集团高级经理，质量技术委员会秘书长，2003年于天津理工大学获得学士学位，主要从事输入输出类产品质量管理方面的研究。E-mail：chenweiw@lenovo.com" ]
  [ "黄中浩，男，博士，正高级工程师，2014年于中国科学院合肥物质科学研究院获得博士学位，主要从事新技术和新产品开发、氧化物技术研究等工作。E-mail：huangzhonghao@boe.com.cn" ]
- 基金信息：
  
  重庆京东方科技攻关项目(306053)
- DOI：10.37188/CJLCD.2024-0338
  中图分类号： TN321⁺.5
- CSTR：32172.14.CJLCD.2024-0338
- 收稿日期：2024-12-01，
  
  修回日期：2025-01-28，
  
  纸质出版日期：2025-04-05
- 稿件说明：
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刘丹, 樊小军, 陈威, 等. 氧化物TFT源栅极短路缺陷原因解析及抑制措施[J]. 液晶与显示, 2025,40(4):566-576.

LIU Dan, FAN Xiaojun, CEHN Wei, et al. Mechanism analysis and suppression measures for gate data short defects in oxide TFT[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2025, 40(4): 566-576.
刘丹, 樊小军, 陈威, 等. 氧化物TFT源栅极短路缺陷原因解析及抑制措施[J]. 液晶与显示, 2025,40(4):566-576. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0338. CSTR： 32172.14.CJLCD.2024-0338.

LIU Dan, FAN Xiaojun, CEHN Wei, et al. Mechanism analysis and suppression measures for gate data short defects in oxide TFT[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2025, 40(4): 566-576. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0338. CSTR： 32172.14.CJLCD.2024-0338.

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Mechanism analysis and suppression measures for gate data short defects in oxide TFT

DOI：10.37188/CJLCD.2024-0338