摘要
تؤدي عيوب قصر المصدر والصرف في ترانزستور الغشاء الرقيق من أكسيد (TFT) (المعروفة بقصر بيانات البوابة، DGS) إلى تدهور جودة العرض وإتلاف المنتج. من المهم توضيح مبدأ DGS، وتحديد العوامل المؤثرة، وتقديم حلول لضمان معدل جودة المنتج وجودته. في هذه الورقة، تم تأكيد الظاهرة الماكروسكوبية والهيكل المجهري لـDGS، ثم تم دراسة العلاقة بين فقدان العزل الكهربائي وقوة التحمل لطبقة عازل البوابة (Gate Insulator، GI). كما تم إحصاء معدل حدوث DGS في تجارب تدهور الإضاءة لمنتجات مختلفة، مع تحديد تأثير جهد البوابة ومعدل التحديث على DGS. تم مطابقة الظواهر التجريبية مع آلية DGS المدروسة، وتحليل سبب ارتفاع DGS في أكسيد TFT مقارنة بـTFT السيليكون غير المتبلور. أظهرت النتائج أن جوهر DGS هو تحطم العزل الكهربائي لطبقة GI بسبب ضعف طاقت التحمل. وتعتبر خسارة العزل، وجهد البوابة، ومعدل التحديث عوامل مؤثرة هامة على DGS. هذه العوامل، بالتفاعل مع آليات انتشار النحاس والهجرة الكهربائية، تقلل من سمك GI الفعال، وتزيد من مخاطر التحطم الحراري لـGI، مما يؤدي في النهاية إلى ظهور DGS. هناك إجراءان عمليان في خطوط الإنتاج للحد من DGS: تقليل نسبة سمك SiOx في طبقة GI المتراكمة لتقليل فقدان العزل ومنع التحطم الحراري؛ وتخفيض جهد بوابة TFT لمنع انتشار أيونات النحاس والهجرة الكهربائية. تم اختبار هذه الإجراءات كحلول تحسين، مما أدى إلى انخفاض معدل حدوث DGS في اللوحات بنسبة 73%. نجح هذا الحل في تقليل DGS في لوحات الأكسيد، ورفع جودة المنتج، ويوفر مرجعا لتحسين عمليات تصنيع TFT الأكسيد.
关键词
أكسيد الإنديوم والغيلنيوم والزنك;الترانزستور الرقيق;الهجرة الكهربائية;تحطم العزل الكهربائي
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website