Les défauts de court-circuit source-drain du TFT à oxyde (Thin Film Transistor) (DGS - Gate Data Short) entraînent une dégradation de la qualité d'affichage et des rebuts produits. Comprendre le principe du DGS, identifier les facteurs influents et proposer des solutions a une importance positive pour assurer le rendement et la qualité des produits. Cet article confirme d'abord les phénomènes macroscopiques et la morphologie microscopique du DGS, puis étudie la relation entre la perte diélectrique et la résistance électrique de la couche isolante de la grille (Gate Insulator, GI). Il rassemble les statistiques du taux d'apparition du DGS lors d'expériences de détérioration par allumage sur différents produits et précise l'influence de la tension de grille et du taux de rafraîchissement sur le DGS. En associant les observations expérimentales et les mécanismes du DGS étudiés, il analyse la raison pour laquelle le DGS des TFT à oxyde est supérieur à celui des TFT en silicium amorphe. Les résultats montrent que l'essence du DGS est une défaillance diélectrique du GI causée par une résistance électrique insuffisante. La perte diélectrique du GI, la tension de grille et le taux de rafraîchissement sont des facteurs significatifs influençant le DGS. Ces facteurs, en interaction avec la diffusion du cuivre et le mécanisme de migration électrique, réduisent l'épaisseur effective du GI, augmentant le risque de rupture thermique du GI, ce qui entraîne finalement le DGS. Deux mesures réalisables en production pour réduire le DGS sont : diminuer la proportion d'épaisseur de SiO_x dans le GI multicouche afin de réduire la perte diélectrique et prévenir la rupture thermique ; abaisser la tension de grille TFT pour inhiber la diffusion et la migration des ions cuivre. Ces mesures ont été testées expérimentalement comme solutions d'amélioration, réduisant le taux d'apparition du DGS de 73 % sur les panneaux. Cette solution a permis de supprimer efficacement le DGS des panneaux à oxyde, améliorant la qualité du produit et fournissant une référence pour l'optimisation du procédé des TFT à oxyde.

oxyde d'indium-gallium- zinc;transistor à film mince;migration électrique;rupture diélectrique