El defecto de cortocircuito en la fuente-drenador del TFT de óxido (Thin Film Transistor) (DGS - Gate Data Short) provoca la degradación de la calidad de la pantalla y el rechazo del producto. Comprender el principio del DGS, identificar los factores influyentes y presentar soluciones es de gran importancia para asegurar la tasa de producto bueno y la calidad. Este artículo primero confirma los fenómenos macroscópicos y la morfología microscópica del DGS, luego investiga la relación entre la pérdida dieléctrica y la fuerza de ruptura del aislante de la compuerta (Gate Insulator, GI), recopila estadísticas de la tasa de ocurrencia de DGS en diferentes productos durante experimentos de deterioro por iluminación, y aclara el impacto del voltaje de la compuerta y la tasa de actualización en el DGS. Al comparar los fenómenos experimentales con el mecanismo del DGS investigado, se analizan las razones por las cuales el DGS en TFT de óxido es mayor que en TFT de silicio amorfo. Los resultados indican que la esencia del DGS es la ruptura dieléctrica del GI causada por una resistencia insuficiente a la ruptura. La pérdida dieléctrica del GI, el voltaje de la compuerta y la tasa de actualización son factores significativos que afectan el DGS. Estos factores, bajo la interacción de la difusión de cobre y el mecanismo de electromigración, reducen el grosor efectivo del GI, aumentan el riesgo de ruptura térmica del GI y finalmente causan el DGS. Hay dos medidas viables en la producción para suprimir el DGS: reducir la proporción del espesor de SiO_x en el GI apilado para disminuir la pérdida dieléctrica y suprimir la ruptura térmica; reducir el voltaje de la compuerta TFT para inhibir la difusión y electromigración de iones de cobre. Las medidas anteriores se probaron como soluciones de mejora, disminuyendo la tasa de ocurrencia de DGS en paneles en un 73 %. La solución logró suprimir con éxito el DGS en paneles de óxido, mejorando la calidad del producto y proporcionando una referencia para la optimización del proceso TFT de óxido.

óxido de indio-galio-zinc;transistor de película delgada;electromigración;ruptura dieléctrica