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不同退火氛围下MgZnO-TFT的制备及其性能
器件物理及器件制备 | 更新时间：2024-10-09
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    • 不同退火氛围下MgZnO-TFT的制备及其性能

    • Effect of atmosphere dependent annealing on the preparation and properties of MgZnO thin-film transistors

    • “在半导体领域，研究人员通过射频磁控溅射法制备MgZnO薄膜，发现真空退火处理能显著提升器件性能，场效应迁移率增至0.29 cm2·V-1·s-1，阈值电压降至2.28 V，电流开关比高达1.68×10^6，为提高TFT电学稳定性提供新思路。”
    • 液晶与显示   2024年39卷第10期 页码：1295-1303

    • DOI：10.37188/CJLCD.2024-0209    

      中图分类号： TN321+.5

    • 收稿日期：2024-07-23，

      修回日期：2024-09-11，

      纸质出版日期：2024-10-05

    移动端阅览

  • 王超, 郝云鹏, 郭亮, 等. 不同退火氛围下MgZnO-TFT的制备及其性能[J]. 液晶与显示, 2024,39(10):1295-1303. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0209.

    WANG Chao, HAO Yunpeng, GUO Liang, et al. Effect of atmosphere dependent annealing on the preparation and properties of MgZnO thin-film transistors[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2024, 39(10): 1295-1303. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0209.

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上海交通大学 电子工程系
福建师范大学 物理与能源学院
合肥工业大学 光电技术研究院 特种显示技术国家工程实验室， 测量理论与精密仪器安徽省重点实验室
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