لدراسة تأثير جو التلدين على أداء ترانزستورات الأغشية الرقيقة لأكسيد المغنيسيوم والزنك، استخدم هذا البحث طريقة الترسيب بالمغنطيسية الراديوية لتحضير فيلم MgZnO، وبنى جهاز MgZnO-TFT بهيكل قاع البوابة مع اتصال علوي للقناة. تم تنفيذ عمليات التلدين عند 500 درجة مئوية لمدة ساعة واحدة تحت أربعة أجواء مختلفة: الهواء، الفراغ، الأكسجين، والنيتروجين، ثم تم تحليل الفيلم باستخدام المجهر القوة الذرية (AFM) وتقنية طيف فوتونات الإلكترون بالأشعة السينية (XPS). أظهرت النتائج أن فيلم MgZnO المقلى في جو الفراغ كان ذا جودة أفضل وأداء الجهاز كان الأمثل، حيث كانت قابلية التنقل الحقلية 0.29 سم²·فولت^-1·ثانية^-1، جهد العتبة 2.28 فولت، عرض الفجوة دون العتبة 3.6 فولت·dec^-1، ونسبة التيار المفتوح 1.68×10⁶. يُعتقد أن السبب هو أن التلدين في جو الفراغ يمكن أن يعزل الجهاز جزئيًا عن الضوضاء الخارجية مما يمنع بشكل فعال عيوب طبقة الأغشية النشطة. كما درسنا واستقرينا استقرار الجهاز تحت ضغوط الانحياز الموجب (PBS) والسالب (NBS). أظهرت جميع تراكمات الجهد المختلفة ثباتًا جيدًا. تحت ضغط انحياز موجب 10 فولت ووقت إجهاد 3000 ثانية، انخفض انحراف جهد العتبة لجهاز MgZnO-TFT المعدل في جو الفراغ من 1.38 فولت إلى 0.54 فولت مقارنةً بـ ZnO-TFT. توضح النتائج أن إضافات المغنيسيوم في أكسيد الزنك لتحضير فيلم MgZnO كطبقة نشطة في TFT تحسن إلى حد ما من استقرارها الكهربائي.

MgZnO-TFT;جو التلدين;XPS;الاستقرار