Для изучения влияния атмосферы отжига на характеристики тонкопленочных транзисторов на основе оксида магния и цинка (MgZnO) в данной работе использовался метод радиочастотного магнитного распыления для изготовления пленок MgZnO, служащих каналом в структуре MgZnO-TFT с нижним затвором и верхними контактами. Полученные пленки MgZnO подвергались отжигу при 500 ℃ в течение 1 часа в четырёх различных атмосферах: воздух, вакуум, кислород и азот. Пленки были проанализированы с помощью атомно-силовой микроскопии (AFM) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Результаты показали, что отжиг в вакууме обеспечивает лучшую качество пленок MgZnO и оптимальные параметры устройств: подвижность носителей тока составляет 0.29 см²·В^-1·с^-1, пороговое напряжение 2.28 В, подъем подпорогового наклона 3.6 В·dec^-1, и отношение включения тока 1.68×10⁶. Это объясняется тем, что отжиг в вакуумной атмосфере частично изолирует от внешних помех и эффективно предотвращает возникновение дефектов в активном слое пленки. Также исследовалась стабильность устройств под воздействием положительного (PBS) и отрицательного (NBS) напряжения смещения. При различных напряжениях затвора TFT показали хорошую стабильность. При положительном напряжении 10 В и времени воздействия 3000 с дрейф порога напряжения MgZnO-TFT, оптимизированного отжигом в вакууме, снизился с 1.38 В до 0.54 В по сравнению с ZnO-TFT. Результаты показывают, что легирование оксида цинка магнием при приготовлении пленок MgZnO для активного слоя TFT улучшает электрическую стабильность устройств.

MgZnO-TFT;атмосфера отжига;XPS;стабильность