Para investigar el efecto de la atmósfera de recocido en el rendimiento de los transistores de película delgada de óxido de magnesio y zinc (MgZnO), este artículo utilizó el método de pulverización catódica de magnetrón de RF para preparar películas de MgZnO, que se utilizaron como capa de canal en un dispositivo MgZnO-TFT con estructura de puerta inferior y contactos superiores. Las películas de MgZnO preparadas fueron recocidas a 500 ℃ durante 1 hora en cuatro atmósferas diferentes: aire, vacío, oxígeno y nitrógeno. Se caracterizaron con microscopía de fuerza atómica (AFM) y espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS). Los resultados mostraron que el recocido en atmósfera de vacío produjo películas de MgZnO de mejor calidad y el mejor rendimiento del dispositivo, con una movilidad de efecto campo de 0.29 cm²·V^-1·s^-1, un voltaje umbral de 2.28 V, una pendiente sub-umbral de 3.6 V·dec^-1, y una relación corriente encendido/apagado de 1.68×10⁶. Se analiza que esto puede deberse a que el recocido en atmósfera de vacío puede aislar parcialmente las interferencias externas, evitando efectivamente la formación de defectos en la capa activa. Además, se investigó la estabilidad bajo estrés de polarización positiva (PBS) y negativa (NBS). Los TFT mostraron buena estabilidad bajo diferentes tensiones de polarización de puerta. Bajo un voltaje de polarización positivo de 10 V y un tiempo de estrés de 3000 s, la deriva del voltaje umbral del MgZnO-TFT optimizado en atmósfera de vacío disminuyó de 1.38 V a 0.54 V en comparación con ZnO-TFT. Los resultados muestran que la dopación con magnesio en óxido de zinc para preparar la capa activa de MgZnO mejora hasta cierto punto la estabilidad eléctrica del dispositivo TFT.

MgZnO-TFT;atmósfera de recocido;XPS;estabilidad