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PFI引入PEDOT∶PSS空穴注入层提升Cu-In-Zn-S基量子点发光二极管性能
量子点发光器件 | 更新时间：2026-01-26

    • PFI引入PEDOT∶PSS空穴注入层提升Cu-In-Zn-S基量子点发光二极管性能

    • PFI incorporation into PEDOT∶PSS hole injection layer for improving performance of Cu-In-Zn-S-based quantum dot light-emitting diodes

    • “在量子点发光二极管领域，研究人员设计了全氟化树脂改性聚（3，4-乙烯二氧噻吩）-聚（苯乙烯磺酸盐）策略，有效提升Cu-In-Zn-S基QLEDs器件性能，为环境友好型QLEDs产业化应用奠定研究基础。”
    • 液晶与显示   2026年41卷第1期 页码：142-149

    • DOI：10.37188/CJLCD.2025-0219    

      中图分类号： TN383+.1
    • CSTR：32172.14.CJLCD.2025-0219    

    • 收稿：2025-10-31，

      修回：2025-11-27，

      纸质出版：2026-01-05

    移动端阅览

  • 刘柄含, 赵金星, 刘子奕, 等. PFI引入PEDOT∶PSS空穴注入层提升Cu-In-Zn-S基量子点发光二极管性能[J]. 液晶与显示, 2026,41(1):142-149. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0219. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0219.

    LIU Binghan, ZHAO Jinxing, LIU Ziyi, et al. PFI incorporation into PEDOT∶PSS hole injection layer for improving performance of Cu-In-Zn-S-based quantum dot light-emitting diodes[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(1): 142-149. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0219. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0219.

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中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所
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