El desequilibrio en la inyección de electrones y huecos causado por una inyección de huecos demasiado lenta en los diodos emisores de luz de puntos cuánticos de cobre multielemento (QLEDs) es una de las principales razones que limita la mejora del rendimiento del dispositivo. Este estudio diseñó una estrategia para modificar poli(3,4-etilendioxitiofeno)-poliestirenosulfonato (PEDOT∶PSS) con una resina perfluorada (PFI), utilizando las propiedades de autoensamblaje de PFI para construir una capa de inyección de huecos con niveles de energía en gradiente PFI-PEDOT∶PSS. Los dispositivos de transporte de huecos simples demostraron además que la capa de inyección de huecos PFI-PEDOT∶PSS puede reducir eficazmente la barrera de inyección de huecos y mejorar la eficiencia de inyección de huecos, mejorando así el rendimiento del dispositivo. Finalmente, el dispositivo electroluminiscente fabricado con PFI-PEDOT∶PSS como capa de inyección de huecos y puntos cuánticos Cu-In-Zn-S como capa emisora alcanzó una eficiencia cuántica externa máxima del 4,7%, siendo 2,2 veces la de los dispositivos basados en PEDOT∶PSS. Los resultados muestran que esta estrategia de modificación que introduce PFI en la capa de inyección de huecos de PEDOT∶PSS puede mejorar eficazmente el rendimiento de los dispositivos QLEDs basados en Cu-In-Zn-S, y también sienta una base importante para futuras aplicaciones industriales de QLEDs ecológicos.

Puntos cuánticos Cu-In-Zn-S; diodo emisor de luz; PEDOT∶PSS; resina perfluorada