Das Ungleichgewicht zwischen Elektronen- und Lochinjektion, verursacht durch eine zu langsame Lochinjektion in multimetallischen kupferbasierten Chalkogenid-Quantenpunkt-Leuchtdioden (QLEDs), ist einer der Hauptgründe für die Leistungsbegrenzung der Geräte. In dieser Studie wurde eine Strategie zur Modifikation von Poly(3,4-ethylendioxythiophen)-Poly(styrensulfonat) (PEDOT∶PSS) mit einem perfluorierten Harz (PFI) entwickelt, wobei die Selbstorganisationsfähigkeit von PFI genutzt wurde, um eine Lochinjektionsschicht mit graduiertem Energieniveau PFI-PEDOT∶PSS zu konstruieren. Einloch-Transportgeräte zeigten außerdem, dass die PFI-PEDOT∶PSS-Lochinjektionsschicht die Lochinjektionsbarriere effektiv reduzieren und die Lochinjektions-Effizienz steigern kann, was zu einer Verbesserung der Geräteleistung führt. Schließlich erreichte das mit PFI-PEDOT∶PSS als Lochinjektionsschicht und Cu-In-Zn-S-Quantenpunkten als Leuchtschicht hergestellte elektrolumineszente Gerät eine maximale externe Quanteneffizienz von 4,7 %, was das 2,2-fache der PEDOT∶PSS-basierten Geräte ist. Die Ergebnisse zeigen, dass diese Modifikationsstrategie, die PFI in die PEDOT∶PSS-Lochinjektionsschicht einführt, die Leistung von Cu-In-Zn-S-basierten QLEDs effektiv verbessern kann und eine wichtige Forschungsgrundlage für die zukünftige umweltfreundliche industrielle Anwendung von QLEDs legt.

Cu-In-Zn-S-Quantenpunkte; Leuchtdiode; PEDOT∶PSS; perfluoriertes Harz