ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

林致远; 杨成绍; 邹志翔; 操彬彬; 黄寅虎; 文锺源; 王章涛

doi:10.3788/YJYXS20163104.0370

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ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

材料与器件 | 更新时间：2020-08-12

- ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响
- Effects of pixel ITO process on TFT characteristics of HADS product
- 液晶与显示 2016年31卷第4期页码：370-374
- 作者机构：
  
  合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥,230012
- 作者简介：
  
  [ "林致远(1978-),男,中国台湾人,博士,研究员,主要从事LCD Array工艺开发以及TFT特性解析。E-mail:linzhiyuan@boe.com.cn" ]
  [ "杨成绍(1984-),男,中国安徽人,硕士,研究员,主要从事LCD Array工艺开发以及TFT特性解析。E-mail:yangchengshao@boe.com.cn" ]
  [ "邹志翔(1986-),男,中国湖北人,硕士,研究员,主要从事LCD Array工艺开发以及TFT特性解析。E-mail:zouzhixiang@boe.com.cn" ]
  [ "操彬彬(1987-),男,中国安徽人,硕士,研究员,主要从事LCDArray工艺开发以及TFT特性解析。E-mail:caobinbin@boe.com.cn" ]
  [ "黄寅虎(1986-),男,中国湖北人,硕士,部长,主要从事LCD Array工艺开发以及TFT特性解析。E-mail:huangyinhu@boe.com.cn" ]
  [ "文锺源(1971-),男,韩国人,硕士,部长,主要从事LCD Array工艺开发以及TFT特性解析。E-mail:jwmoon@boe.com.cn" ]
  [ "王章涛(1977-),男,中国安徽人,博士,总监,主要从事LCD Array工艺开发以及TFT特性解析。E-mail:wangzhangtao@boe.com.cn" ]
- 基金信息：
- DOI：10.3788/YJYXS20163104.0370
  中图分类号： TN873+.93
- 收稿日期：2016-01-11，
  
  修回日期：2016-01-17，
  
  纸质出版日期：2016-04-05
- 稿件说明：
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林致远, 杨成绍, 邹志翔等. ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响[J]. 液晶与显示, 2016,31(4): 370-374

LIN Zhi-yuan, YANG Cheng-shao, ZOU Zhi-xiang etc. Effects of pixel ITO process on TFT characteristics of HADS product[J]. , 2016,31(4): 370-374
林致远, 杨成绍, 邹志翔等. ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响[J]. 液晶与显示, 2016,31(4): 370-374 DOI： 10.3788/YJYXS20163104.0370.

LIN Zhi-yuan, YANG Cheng-shao, ZOU Zhi-xiang etc. Effects of pixel ITO process on TFT characteristics of HADS product[J]. , 2016,31(4): 370-374 DOI： 10.3788/YJYXS20163104.0370.

摘要

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极源漏极)更高的I

提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N

与源漏极之间接触阻抗导致I

降低。对于HADS产品

倒反HADS结构(源漏极ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构

在沟道形成工序前的N

表面ITO残沙程度越少则I

off

越低;对于倒反HADS结构

沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域

现行HADS结构(ITO像素电极源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极ITO像素电极)二者较低I

off

[

=-20 V]

下降达50%

主要为N

与源漏极之间接触阻抗增加的影响。

Abstract

Effects of TFT structure on HADS product TFT properties was investigated. TN 5 mask and reversed HADS structure (SD pixel ITO) shows higher I

about 40% than current HADS structure (pixel ITO SD). The lower I

of current HADS structure (pixel ITO SD) may result from higher N+/SD contact resistance due to damaged N

surface result from pixel ITO process on N

surface. For current HADS structure

less ITO remain before channel formation leads to a lower I

off

while it shows no effect on TFT characteristic as ITO remain stays on formed channel for reversed HADS structure (SD pixel ITO). The current HADS structure shows a 50% lower Poole-Frenkel leakage current and lower Poole-Frenkel I-

slope than TN 5mask and reversed HADS structure (SD pixel ITO) also due to a higher N+/SD contact resistance.

关键词

Keywords

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