基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展

罗承宇; 钟超; 陈佳蕾; 林立华; 胡海龙; 李福山

doi:10.37188/CJLCD.2025-0194

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基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展

量子点发光器件 | 更新时间：2026-09-12

- 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展
- Advances in preparation of high-performance quantum dot light-emitting diodes based on interfacial modification layers
- 液晶与显示 2026年41卷第1期页码：120-141
- 作者机构：
  
  1.福州大学物理与信息工程学院，福建福州 350108
  2.中国福建省光电信息科技创新实验室，福建福州 350108
- 作者简介：
  
  罗承宇，男，博士研究生，2023 年于福州大学获得学士学位，主要从事量子点发光器件的制备、性能提升以及工作机理的研究。E-mail：2427884789@qq.com
  李福山，男，博士，研究员，2005 年于北京大学获得博士学位，主要从事量子点光电材料与器件的研究。E-mail：fsli@fzu.edu.cn
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(52572156)
- DOI：10.37188/CJLCD.2025-0194
  中图分类号： TN312⁺.8;TN383⁺.1
- CSTR：32172.14.CJLCD.2025-0194
- 收稿：2025-09-24，
  
  修回：2025-10-15，
  
  纸质出版：2026-01-05
- 稿件说明：
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罗承宇, 钟超, 陈佳蕾, 等. 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展[J]. 液晶与显示, 2026,41(1):120-141.

LUO Chengyu, ZHONG Chao, CHEN Jialei, et al. Advances in preparation of high-performance quantum dot light-emitting diodes based on interfacial modification layers[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(1): 120-141.
罗承宇, 钟超, 陈佳蕾, 等. 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展[J]. 液晶与显示, 2026,41(1):120-141. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0194. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0194.

LUO Chengyu, ZHONG Chao, CHEN Jialei, et al. Advances in preparation of high-performance quantum dot light-emitting diodes based on interfacial modification layers[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(1): 120-141. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0194. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0194.

摘要

作为可视化信息的载体，显示器在越来越数字化和智能化的生活中扮演着不可或缺的角色。量子点发光二极管（QLEDs）凭借卓越的性能，正蓄势引领下一代显示技术浪潮，并有望重塑国际显示面板市场格局。然而，目前QLEDs器件的实际应用仍受到一些限制，例如发光性能和寿命尚未达到商业应用的要求。为了制备高性能的QLEDs，对各个功能层的界面进行修饰是研究中常用的方法。基于此，本综述从多个方面总结了QLEDs界面修饰的研究进展，详细分析了界面修饰机制及其对QLEDs性能的影响。最后，指出了QLEDs发展中存在的不足，同时展望了其未来的发展方向。希望该综述能为QLEDs的学术研究和产业化带来有价值的参考。

Abstract

As a carrier of visual information， displays play an indispensable role in an increasingly digital and intelligent life. Quantum dot light-emitting diodes（QLEDs） are poised to lead the next generation of display technology with their outstanding performance， and are expected to reshape the international display panel market landscape. However， the practical application of QLED devices are still subject to some constraints， for example， the luminous performance and lifetime have not yet met the requirements for commercial application. In order to prepare high-performance QLEDs， it is a common method to modify the interface of each functional layer. Based on this， the review summarizes the research progress of QLEDs interface modification from many aspects， and analyses in detail the mechanism of interface modification and its effect on the performance of QLEDs. Finally， the shortcomings in the development of QLEDs are pointed out， and the future development directions of QLEDs are proposed. This review is expected to provide valuable reference for the academic research and industrialization of QLEDs.

关键词

Keywords

references

MURRAY C B ， KAGAN C R ， BAWENDI M G . Synthesis and characterization of monodisperse nanocrystals and close-packed nanocrystal assemblies ［J］. Annual Review of Materials Science ， 2000 ， 30 ： 545 - 610 . doi: 10.1146/annurev.matsci.30.1.545 http://dx.doi.org/10.1146/annurev.matsci.30.1.545

KAGAN C R ， LIFSHITZ E ， SARGENT E H ， et al . Building devices from colloidal quantum dots ［J］. Science ， 2016 ， 353 （ 6302 ）： aac5523 . doi: 10.1126/science.aac5523 http://dx.doi.org/10.1126/science.aac5523

SUN Q J ， WANG Y A ， LI L S ， et al . Bright， multicoloured light-emitting diodes based on quantum dots ［J］. Nature Photonics ， 2007 ， 1 （ 12 ）： 717 - 722 . doi: 10.1038/nphoton.2007.226 http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2007.226

SHIRASAKI Y ， SUPRAN G J ， BAWENDI M G ， et al . Emergence of colloidal quantum-dot light-emitting technologies ［J］. Nature Photonics ， 2013 ， 7 （ 1 ）： 13 - 23 . doi: 10.1038/nphoton.2012.328 http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2012.328

CHEN O ， ZHAO J ， CHAUHAN V P ， et al . Compact high-quality CdSe-CdS core-shell nanocrystals with narrow emission linewidths and suppressed blinking ［J］. Nature Materials ， 2013 ， 12 （ 5 ）： 445 - 451 . doi: 10.1038/nmat3539 http://dx.doi.org/10.1038/nmat3539

SHEN H B ， GAO Q ， ZHANG Y B ， et al . Visible quantum dot light-emitting diodes with simultaneous high brightness and efficiency ［J］. Nature Photonics ， 2019 ， 13 （ 3 ）： 192 - 197 . doi: 10.1038/s41566-019-0364-z http://dx.doi.org/10.1038/s41566-019-0364-z

DAI X L ， ZHANG Z X ， JIN Y Z ， et al . Solution-processed， high-performance light-emitting diodes based on quantum dots ［J］. Nature ， 2014 ， 515 （ 7525 ）： 96 - 99 . doi: 10.1038/nature13829 http://dx.doi.org/10.1038/nature13829

YANG Y X ， ZHENG Y ， CAO W R ， et al . High-efficiency light-emitting devices based on quantum dots with tailored nanostructures ［J］. Nature Photonics ， 2015 ， 9 （ 4 ）： 259 - 266 . doi: 10.1038/nphoton.2015.36 http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2015.36

CAO F ， WANG H R ， SHEN P Y ， et al . High-efficiency and stable quantum dot light-emitting diodes enabled by a solution-processed metal-doped nickel oxide hole injection interfacial layer ［J］. Advanced Functional Materials ， 2017 ， 27 （ 42 ）： 1704278 . doi: 10.1002/adfm.201704278 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201704278

LIN J ， DAI X L ， LIANG X Y ， et al . High-performance quantum-dot light-emitting diodes using NiO x hole-injection layers with a high and stable work function ［J］. Advanced Functional Materials ， 2020 ， 30 （ 5 ）： 1907265 . doi: 10.1002/adfm.201907265 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201907265

MENG T T ， ZHENG Y T ， ZHAO D L ， et al . Ultrahigh-resolution quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Nature Photonics ， 2022 ， 16 （ 4 ）： 297 - 303 . doi: 10.1038/s41566-022-00960-w http://dx.doi.org/10.1038/s41566-022-00960-w

赵芳青，郝建华，王恺．无镉无铅环保型蓝光量子点及其发光二极管器件［J］．液晶与显示， 2021 ， 36 （ 1 ）： 203 - 215 . doi: 10.37188/cjlcd.2020-0271 http://dx.doi.org/10.37188/cjlcd.2020-0271

ZHAO F ， HAO J ， WANG K ， et al . Cadmium-free and lead-free environment-friendly blue quantum dots and light-emitting diodes ［J］. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays ， 2021 ， 36 （ 1 ）： 203 - 215 . （in Chinese） . doi: 10.37188/cjlcd.2020-0271 http://dx.doi.org/10.37188/cjlcd.2020-0271

LIU Y T ， SUN Y Y ， YAN X H ， et al . Realizing low voltage-driven bright and stable quantum dot light-emitting diodes through energy landscape flattening ［J］. Light： Science & Applications ， 2025 ， 14 （ 1 ）： 50 . doi: 10.1038/s41377-024-01727-4 http://dx.doi.org/10.1038/s41377-024-01727-4

COLVIN V L ， SCHLAMP M C ， ALIVISATOS A P . Light-emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer ［J］. Nature ， 1994 ， 370 （ 6488 ）： 354 - 357 . doi: 10.1038/370354a0 http://dx.doi.org/10.1038/370354a0

SONG J J ， WANG O Y ， SHEN H B ， et al . Over 30% external quantum efficiency light-emitting diodes by engineering quantum dot-assisted energy level match for hole transport layer ［J］. Advanced Functional Materials ， 2019 ， 29 （ 33 ）： 1808377 . doi: 10.1002/adfm.201970226 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201970226

DENG Y Z ， PENG F ， LU Y ， et al . Solution-processed green and blue quantum-dot light-emitting diodes with eliminated charge leakage ［J］. Nature Photonics ， 2022 ， 16 （ 7 ）： 505 - 511 . doi: 10.1038/s41566-022-00999-9 http://dx.doi.org/10.1038/s41566-022-00999-9

JANG E ， JANG H . Review： quantum dot light-emitting diodes ［J］. Chemical Reviews ， 2023 ， 123 （ 8 ）： 4663 - 4692 . doi: 10.1021/acs.chemrev.2c00695 http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.2c00695

ZHANG W J ， LI B ， CHANG C ， et al . Stable and efficient pure blue quantum-dot LEDs enabled by inserting an anti-oxidation layer ［J］. Nature Communications ， 2024 ， 15 （ 1 ）： 783 . doi: 10.1038/s41467-024-44894-z http://dx.doi.org/10.1038/s41467-024-44894-z

BI Y H ， SUN J H ， CAO S ， et al . Highly efficient and eco-friendly green quantum dot light-emitting diodes through interfacial potential grading ［J］. Nature Communications ， 2025 ， 16 （ 1 ）： 1945 . doi: 10.1038/s41467-025-57304-9 http://dx.doi.org/10.1038/s41467-025-57304-9

LI M L ， BAO H ， GAO P L ， et al . The stability challenges in developing QLED based display technology ［J］. The Journal of Physical Chemistry Letters ， 2025 ， 16 （ 39 ）： 10058 - 10070 . doi: 10.1021/acs.jpclett.5c02156 http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpclett.5c02156

LI H T ， WANG J M ， CHEN S M . Face-to-face integrated tandem quantum-dot LEDs with high performance and multifunctionality ［J］. Light： Science & Applications ， 2025 ， 14 （ 1 ）： 171 . doi: 10.1038/s41377-025-01835-9 http://dx.doi.org/10.1038/s41377-025-01835-9

JIA Y Y ， LI H ， GUO N ， et al . Long-range order enhance performance of patterned blue quantum dot light-emitting diodes ［J］. Nature Communications ， 2025 ， 16 （ 1 ）： 7643 . doi: 10.1038/s41467-025-62345-1 http://dx.doi.org/10.1038/s41467-025-62345-1

LI Z H ， SONG J J ， LI A M ， et al . Improving the performance of quantum dot light-emitting diodes by tailoring QD emitters ［J］. Nanoscale ， 2023 ， 15 （ 8 ）： 3585 - 3593 . doi: 10.1039/d2nr07078b http://dx.doi.org/10.1039/d2nr07078b

PHILLIPS J M ， KWO J ， THOMAS G A ， et al . Transparent conducting thin films of GaInO 3 ［J］. Applied Physics Letters ， 1994 ， 65 （ 1 ）： 115 - 117 . doi: 10.1063/1.113052 http://dx.doi.org/10.1063/1.113052

CUI J ， WANG A ， EDLEMAN N L ， et al . Indium tin oxide alternatives-high work function transparent conducting oxides as anodes for organic light-emitting diodes ［J］. Advanced Materials ， 2001 ， 13 （ 19 ）： 1476 - 1480 . doi: 10.1002/1521-4095(200110)13:19<1476::aid-adma1476>3.0.co;2-y http://dx.doi.org/10.1002/1521-4095(200110)13:19<1476::aid-adma1476>3.0.co;2-y

TANG Z B ， LIN J ， WANG L S ， et al . Inverted structural quantum dot light-emitting diodes based on Al-doped ZnO electrode ［J］. Nanotechnology ， 2017 ， 28 （ 36 ）： 365201 . doi: 10.1088/1361-6528/aa7d9c http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aa7d9c

GAO P L ， JIANG J ， SONG Y M ， et al . Efficient hole injection from indium tin oxide in quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Advanced Functional Materials ， 2025 ， 35 （ 35 ）： 2503467 . doi: 10.1002/adfm.202503467 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202503467

TAN Z ， VAYNZOF Y ， CREDGINGTON D ， et al . In-situ switching from barrier-limited to ohmic anodes for efficient organic optoelectronics ［J］. Advanced Functional Materials ， 2014 ， 24 （ 20 ）： 3051 - 3058 . doi: 10.1002/adfm.201303426 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201303426

SONG W J ， SO S K ， WANG D Y ， et al . Angle dependent X-ray photoemission study on UV-ozone treatments of indium tin oxide ［J］. Applied Surface Science ， 2001 ， 177 （ 3 ）： 158 - 164 . doi: 10.1016/s0169-4332(01)00178-7 http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00178-7

LIU Y ， HAN F ， LI F S ， et al . Inkjet-printed unclonable quantum dot fluorescent anti-counterfeiting labels with artificial intelligence authentication ［J］. Nature Communications ， 2019 ， 10 （ 1 ）： 2409 . doi: 10.1038/s41467-019-10406-7 http://dx.doi.org/10.1038/s41467-019-10406-7

KIM J S ， GRANSTRÖM M ， FRIEND R H ， et al . Indium-tin oxide treatments for single- and double-layer polymeric light-emitting diodes： the relation between the anode physical， chemical， and morphological properties and the device performance ［J］. Journal of Applied Physics ， 1998 ， 84 （ 12 ）： 6859 - 6870 . doi: 10.1063/1.368981 http://dx.doi.org/10.1063/1.368981

WON Y H ， CHO O ， KIM T ， et al . Highly efficient and stable InP/ZnSe/ZnS quantum dot light-emitting diodes ［J］. Nature ， 2019 ， 575 （ 7784 ）： 634 - 638 . doi: 10.1038/s41586-019-1771-5 http://dx.doi.org/10.1038/s41586-019-1771-5

MASON M G ， HUNG L S ， TANG C W ， et al . Characterization of treated indium-tin-oxide surfaces used in electroluminescent devices ［J］. Journal of Applied Physics ， 1999 ， 86 （ 3 ）： 1688 - 1692 . doi: 10.1063/1.370948 http://dx.doi.org/10.1063/1.370948

WU C C ， WU C I ， STURM J C ， et al . Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment： an effective method to improve the efficiency， brightness， and reliability of organic light emitting devices ［J］. Applied Physics Letters ， 1997 ， 70 （ 11 ）： 1348 - 1350 . doi: 10.1063/1.118575 http://dx.doi.org/10.1063/1.118575

ZHOU Y H ， FUENTES-HERNANDEZ C ， SHIM J ， et al . A universal method to produce low-work function electrodes for organic electronics ［J］. Science ， 2012 ， 336 （ 6079 ）： 327 - 332 . doi: 10.1126/science.1218829 http://dx.doi.org/10.1126/science.1218829

LI J ， LOU Z Z ， LI B J . Nanostructured materials with localized surface plasmon resonance for photocatalysis ［J］. Chinese Chemical Letters ， 2022 ， 33 （ 3 ）： 1154 - 1168 . doi: 10.1016/j.cclet.2021.07.059 http://dx.doi.org/10.1016/j.cclet.2021.07.059

WANG D Y ， WANG I S ， HUANG I S ， et al . Quantum dot light-emitting diode using solution-processable graphene oxide as the anode interfacial layer ［J］. The Journal of Physical Chemistry C ， 2012 ， 116 （ 18 ）： 10181 - 10185 . doi: 10.1021/jp210062x http://dx.doi.org/10.1021/jp210062x

SANCHEZ C ， ARRIBART H ， GIRAUD GUILLE M M . Biomimetism and bioinspiration as tools for the design of innovative materials and systems ［J］. Nature Materials ， 2005 ， 4 （ 4 ）： 277 - 288 . doi: 10.1038/nmat1339 http://dx.doi.org/10.1038/nmat1339

BAE W G ， KIM H N ， KIM D ， et al . 25th anniversary article： scalable multiscale patterned structures inspired by nature： the role of hierarchy ［J］. Advanced Materials ， 2014 ， 26 （ 5 ）： 675 - 700 . doi: 10.1002/adma.201303412 http://dx.doi.org/10.1002/adma.201303412

ZHAO D L ， ZHENG Y T ， MENG T T ， et al . Efficient quantum dot light-emitting diodes with ultra-homogeneous and highly ordered quantum dot monolayer ［J］. Science China Materials ， 2022 ， 65 （ 3 ）： 757 - 763 . doi: 10.1007/s40843-021-1793-3 http://dx.doi.org/10.1007/s40843-021-1793-3

LIN J Y ， HSU F C ， CHAO Y C ， et al . Self-assembled monolayer for low-power-consumption， long-term-stability， and high-efficiency quantum dot light-emitting diodes ［J］. ACS Applied Materials & Interfaces ， 2023 ， 15 （ 21 ）： 25744 - 25751 . doi: 10.1021/acsami.3c01566 http://dx.doi.org/10.1021/acsami.3c01566

NÜESCH F ， ROTHBERG L J ， FORSYTHE E W ， et al . A photoelectron spectroscopy study on the indium tin oxide treatment by acids and bases ［J］. Applied Physics Letters ， 1999 ， 74 （ 6 ）： 880 - 882 . doi: 10.1063/1.123397 http://dx.doi.org/10.1063/1.123397

STEIM R ， KOGLER F R ， BRABEC C J . Interface materials for organic solar cells ［J］. Journal of Materials Chemistry ， 2010 ， 20 （ 13 ）： 2499 - 2512 . doi: 10.1039/b921624c http://dx.doi.org/10.1039/b921624c

WANG G F ， TAO X M ， WANG R X . Fabrication and characterization of OLEDs using PEDOT∶PSS and MWCNT nanocomposites ［J］. Composites Science and Technology ， 2008 ， 68 （ 14 ）： 2837 - 2841 . doi: 10.1016/j.compscitech.2007.11.004 http://dx.doi.org/10.1016/j.compscitech.2007.11.004

STEIRER K X ， REESE M O ， RUPERT B L ， et al . Ultrasonic spray deposition for production of organic solar cells ［J］. Solar Energy Materials and Solar Cells ， 2009 ， 93 （ 4 ）： 447 - 453 . doi: 10.1016/j.solmat.2008.10.026 http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2008.10.026

KYAW A K K ， WANG D H ， GUPTA V ， et al . Efficient solution-processed small-molecule solar cells with inverted structure ［J］. Advanced Materials ， 2013 ， 25 （ 17 ）： 2397 - 2402 . doi: 10.1002/adma.201300295 http://dx.doi.org/10.1002/adma.201300295

SHI H ， LIU C C ， JIANG Q L ， et al . Effective approaches to improve the electrical conductivity of PEDOT∶PSS： a review ［J］. Advanced Electronic Materials ， 2015 ， 1 （ 4 ）： 1500017 . doi: 10.1002/aelm.201500017 http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201500017

CAMERON J ， SKABARA P J . The damaging effects of the acidity in PEDOT∶PSS on semiconductor device performance and solutions based on non-acidic alternatives ［J］. Materials Horizons ， 2020 ， 7 （ 7 ）： 1759 - 1772 . doi: 10.1039/c9mh01978b http://dx.doi.org/10.1039/c9mh01978b

GROENENDAAL L ， JONAS F ， FREITAG D ， et al . Poly（3， 4-ethylenedioxythiophene） and its derivatives： past， present， and future ［J］. Advanced Materials ， 2000 ， 12 （ 7 ）： 481 - 494 . doi: 10.1002/(sici)1521-4095(200004)12:7<481::aid-adma481>3.0.co;2-c http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1521-4095(200004)12:7<481::aid-adma481>3.0.co;2-c

KIM N ， KEE S ， LEE S H ， et al . Highly conductive PEDOT∶PSS nanofibrils induced by solution-processed crystallization ［J］. Advanced Materials ， 2014 ， 26 （ 14 ）： 2268 - 2272 . doi: 10.1002/adma.201304611 http://dx.doi.org/10.1002/adma.201304611

XIA Y J ， SUN K ， OUYANG J Y . Solution-processed metallic conducting polymer films as transparent electrode of optoelectronic devices ［J］. Advanced Materials ， 2012 ， 24 （ 18 ）： 2436 - 2440 . doi: 10.1002/adma.201104795 http://dx.doi.org/10.1002/adma.201104795

WU X K ， LIU J ， HE G F . A highly conductive PEDOT∶PSS film with the dipping treatment by hydroiodic acid as anode for organic light emitting diode ［J］. Organic Electronics ， 2015 ， 22 ： 160 - 165 . doi: 10.1016/j.orgel.2015.03.048 http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.048

MA J H ， KIM M G ， JEONG J H ， et al . Highly efficient ITO-free quantum-dot light emitting diodes via solution-processed PEDOT∶PSS semitransparent electrode ［J］. Materials ， 2023 ， 16 （ 11 ）： 4053 . doi: 10.3390/ma16114053 http://dx.doi.org/10.3390/ma16114053

HEEGER A J . Nobel lecture： semiconducting and metallic polymers： the fourth generation of polymeric materials ［J］. Reviews of Modern Physics ， 2001 ， 73 （ 3 ）： 681 - 700 . doi: 10.1103/revmodphys.73.681 http://dx.doi.org/10.1103/revmodphys.73.681

FABRETTO M V ， EVANS D R ， MUELLER M ， et al . Polymeric material with metal-like conductivity for next generation organic electronic devices ［J］. Chemistry of Materials ， 2012 ， 24 （ 20 ）： 3998 - 4003 . doi: 10.1021/cm302899v http://dx.doi.org/10.1021/cm302899v

KIM E G ， BRÉDAS J L . Electronic evolution of poly（3，4-ethylenedioxythiophene）（PEDOT）： from the isolated chain to the pristine and heavily doped crystals ［J］. Journal of the American Chemical Society ， 2008 ， 130 （ 50 ）： 16880 - 16889 . doi: 10.1021/ja806389b http://dx.doi.org/10.1021/ja806389b

KIM N ， LEE B H ， CHOI D ， et al . Role of interchain coupling in the metallic state of conducting polymers ［J］. Physical Review Letters ， 2012 ， 109 （ 10 ）： 106405 . doi: 10.1103/physrevlett.109.106405 http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.109.106405

TANG H R ， BAI Y Q ， ZHAO H Y ， et al . Interface engineering for highly efficient organic solar cells ［J］. Advanced Materials ， 2024 ， 36 （ 16 ）： 2212236 . doi: 10.1002/adma.202212236 http://dx.doi.org/10.1002/adma.202212236

ASHIZAWA S ， HORIKAWA R ， OKUZAKI H . Effects of solvent on carrier transport in poly（3，4-ethylenedioxythiophene）/poly（4-styrenesulfonate）［J］. Synthetic Metals ， 2005 ， 153 （ 1/3 ）： 5 - 8 . doi: 10.1016/j.synthmet.2005.07.214 http://dx.doi.org/10.1016/j.synthmet.2005.07.214

ALEMU D ， WEI H Y ， HO K C ， et al . Highly conductive PEDOT∶PSS electrode by simple film treatment with methanol for ITO-free polymer solar cells ［J］. Energy & Environmental Science ， 2012 ， 5 （ 11 ）： 9662 - 9671 . doi: 10.1039/c2ee22595f http://dx.doi.org/10.1039/c2ee22595f

OUYANG J ， CHU C W ， CHEN F F ， et al . High-conductivity poly（3，4-ethylenedioxythiophene）： poly（styrene sulfonate） film and its application in polymer optoelectronic devices ［J］. Advanced Functional Materials ， 2005 ， 15 （ 2 ）： 203 - 208 . doi: 10.1002/adfm.200400016 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200400016

KIM Y H ， SACHSE C ， MACHALA M L ， et al . Highly conductive PEDOT∶PSS electrode with optimized solvent and thermal post-treatment for ITO-free organic solar cells ［J］. Advanced Functional Materials ， 2011 ， 21 （ 6 ）： 1076 - 1081 . doi: 10.1002/adfm.201002290 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201002290

NA S I ， KIM S S ， JO J ， et al . Efficient and flexible ITO-free organic solar cells using highly conductive polymer anodes ［J］. Advanced Materials ， 2008 ， 20 （ 21 ）： 4061 - 4067 . doi: 10.1002/adma.200800338 http://dx.doi.org/10.1002/adma.200800338

ALESHIN A ， KIEBOOMS R ， MENON R ， et al . Electronic transport in doped poly-（3，4-ethylenedioxythiophene） near the metal-insulator transition ［J］. Synthetic Metals ， 1997 ， 90 （ 1 ）： 61 - 68 . doi: 10.1016/s0379-6779(97)81227-1 http://dx.doi.org/10.1016/s0379-6779(97)81227-1

LANG U ， MÜLLER E ， NAUJOKS N ， et al . Microscopical investigations of PEDOT∶PSS thin films ［J］. Advanced Functional Materials ， 2009 ， 19 （ 8 ）： 1215 - 1220 . doi: 10.1002/adfm.200801258 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200801258

LIAO Z B ， MALLEM K ， PRODANOV M F ， et al . Ultralow roll-off quantum dot light-emitting diodes using engineered carrier injection layer ［J］. Advanced Materials ， 2023 ， 35 （ 47 ）： 2303950 . doi: 10.1002/adma.202303950 http://dx.doi.org/10.1002/adma.202303950

WANG J ， LI Q ， LI K C ， et al . Ultra-high electrical conductivity in filler-free polymeric hydrogels toward thermoelectrics and electromagnetic interference shielding ［J］. Advanced Materials ， 2022 ， 34 （ 12 ）： 2109904 . doi: 10.1002/adma.202109904 http://dx.doi.org/10.1002/adma.202109904

ZHOU Y F ， YUAN Y B ， CAO L F ， et al . Improved stability of OLEDs with mild oxygen plasma treated PEDOT∶PSS ［J］. Journal of Luminescence ， 2007 ， 122-123 ： 602 - 604 . doi: 10.1016/j.jlumin.2006.01.236 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2006.01.236

LIU S Y ， LIU R ， CHEN Y ， et al . Nickel oxide hole injection/transport layers for efficient solution-processed organic light-emitting diodes ［J］. Chemistry of Materials ， 2014 ， 26 （ 15 ）： 4528 - 4534 . doi: 10.1021/cm501898y http://dx.doi.org/10.1021/cm501898y

YE Y X ， ZHENG X R ， CHEN D S ， et al . Design of the hole-injection/hole-transport interfaces for stable quantum-dot light-emitting diodes ［J］. The Journal of Physical Chemistry Letters ， 2020 ， 11 （ 12 ）： 4649 - 4654 . doi: 10.1021/acs.jpclett.0c01323 http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c01323

CHO N K ， LEE S M ， SONG K ， et al . Enhanced quantum-dot light-emitting diodes using gold nanorods ［J］. Journal of the Korean Physical Society ， 2015 ， 67 （ 9 ）： 1667 - 1671 . doi: 10.3938/jkps.67.1667 http://dx.doi.org/10.3938/jkps.67.1667

PAN J Y ， CHEN J ， ZHAO D W ， et al . Surface plasmon-enhanced quantum dot light-emitting diodes by incorporating gold nanoparticles ［J］. Optics Express ， 2016 ， 24 （ 2 ）： A33 - A43 . doi: 10.1364/oe.24.000a33 http://dx.doi.org/10.1364/oe.24.000a33

ZHONG Z M ， QUAN H L ， ZHANG J ， et al . Improving the performance of quantum dot light-emitting diodes by the enrichment of a fluorinated component on top of a hole transport layer ［J］. ACS Applied Electronic Materials ， 2023 ， 5 （ 11 ）： 6452 - 6458 . doi: 10.1021/acsaelm.3c01316 http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.3c01316

CHANG J H ， PARK P ， JUNG H ， et al . Unraveling the origin of operational instability of quantum dot based light-emitting diodes ［J］. ACS Nano ， 2018 ， 12 （ 10 ）： 10231 - 10239 . doi: 10.1021/acsnano.8b03386 http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.8b03386

CAO W R ， XIANG C Y ， YANG Y X ， et al . Highly stable QLEDs with improved hole injection via quantum dot structure tailoring ［J］. Nature Communications ， 2018 ， 9 （ 1 ）： 2608 . doi: 10.1038/s41467-018-04986-z http://dx.doi.org/10.1038/s41467-018-04986-z

LI J ， DEWI H A ， WANG H ， et al . Co-evaporated MAPbI 3 with graded fermi levels enables highly performing， scalable， and flexible p-i-n perovskite solar cells ［J］. Advanced Functional Materials ， 2021 ， 31 （ 42 ）： 2103252 . doi: 10.1002/adfm.202103252 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202103252

SAWATZKY G A ， ALLEN J W . Magnitude and origin of the band gap in NiO ［J］. Physical Review Letters ， 1984 ， 53 （ 24 ）： 2339 - 2342 . doi: 10.1103/physrevlett.53.2339 http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.53.2339

JIANG F ， CHOY W C H ， LI X C ， et al . Post-treatment-free solution-processed non-stoichiometric NiO x nanoparticles for efficient hole-transport layers of organic optoelectronic devices ［J］. Advanced Materials ， 2015 ， 27 （ 18 ）： 2930 - 2937 . doi: 10.1002/adma.201405391 http://dx.doi.org/10.1002/adma.201405391

HU H L ， ZHU J G ， CHEN M S ， et al . Inkjet-printed p-type nickel oxide thin-film transistor ［J］. Applied Surface Science ， 2018 ， 441 ： 295 - 302 . doi: 10.1016/j.apsusc.2018.02.049 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.02.049

CHEN W ， WU Y Z ， YUE Y F ， et al . Efficient and stable large-area perovskite solar cells with inorganic charge extraction layers ［J］. Science ， 2015 ， 350 （ 6263 ）： 944 - 948 . doi: 10.1126/science.aad1015 http://dx.doi.org/10.1126/science.aad1015

YU S ， XIONG Z ， ZHOU H ， et al . Homogenized NiO x nanop articles for improved hole transport in inverted perovskite solar cells ［J］. Science ， 2023 ， 382 （ 6677 ）： 1399 - 1404 . doi: 10.1126/science.adj8858 http://dx.doi.org/10.1126/science.adj8858

XU M P ， CHEN D S ， LIN J ， et al . Quantum-dot light-emitting diodes with Fermi-level pinning at the hole-injection/hole-transporting interfaces ［J］. Nano Research ， 2022 ， 15 （ 8 ）： 7453 - 7459 . doi: 10.1007/s12274-022-4260-3 http://dx.doi.org/10.1007/s12274-022-4260-3

LEVINE I ， AL-ASHOURI A ， MUSIIENKO A ， et al . Charge transfer rates and electron trapping at buried interfaces of perovskite solar cells ［J］. Joule ， 2021 ， 5 （ 11 ）： 2915 - 2933 . doi: 10.1016/j.joule.2021.07.016 http://dx.doi.org/10.1016/j.joule.2021.07.016

ZUO L J ， GU Z W ， YE T ， et al . Enhanced photovoltaic performance of CH 3 NH 3 PbI 3 perovskite solar cells through interfacial engineering using self-assembling monolayer ［J］. Journal of the American Chemical Society ， 2015 ， 137 （ 7 ）： 2674 - 2679 . doi: 10.1021/ja512518r http://dx.doi.org/10.1021/ja512518r

CAI F S ， LI M ， ZHOU Y M ， et al . Dipole-tunable interfacial engineering strategy for high-performance all-inorganic red quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Nano Energy ， 2024 ， 119 ： 109050 . doi: 10.1016/j.nanoen.2023.109050 http://dx.doi.org/10.1016/j.nanoen.2023.109050

AL-ASHOURI A ， MAGOMEDOV A ， ROß M ， et al . Conformal monolayer contacts with lossless interfaces for perovskite single junction and monolithic tandem solar cells ［J］. Energy & Environmental Science ， 2019 ， 12 （ 11 ）： 3356 - 3369 . doi: 10.1039/c9ee02268f http://dx.doi.org/10.1039/c9ee02268f

CHEN S R ， ZHANG Q H ， RONG D K ， et al . Braiding lateral morphotropic grain boundaries in homogenetic oxides ［J］. Advanced Materials ， 2023 ， 35 （ 2 ）： 2206961 . doi: 10.1002/adma.202206961 http://dx.doi.org/10.1002/adma.202206961

DAVIDSON-HALL T ， AZIZ H . Perspective： toward highly stable electroluminescent quantum dot light-emitting devices in the visible range ［J］. Applied Physics Letters ， 2020 ， 116 （ 1 ）： 010502 . doi: 10.1063/1.5134090 http://dx.doi.org/10.1063/1.5134090

MURALI K R ， THIRUMOORTHY P . Characteristics of sol-gel deposited alumina films ［J］. Journal of Alloys and Compounds ， 2010 ， 500 （ 1 ）： 93 - 95 . doi: 10.1016/j.jallcom.2010.03.219 http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2010.03.219

TIAN F Q ， ZHU Y B ， XU Z W ， et al . Achieving highly efficient and stable quantum dot light-emitting diodes with interface modification ［J］. IEEE Electron Device Letters ， 2020 ， 41 （ 9 ）： 1384 - 1387 . doi: 10.1109/led.2020.3011505 http://dx.doi.org/10.1109/led.2020.3011505

XU Q L ， LI X Y ， LIN Q L ， et al . Improved efficiency of all-inorganic quantum-dot light-emitting diodes via interface engineering ［J］. Frontiers in Chemistry ， 2020 ， 8 ： 265 . doi: 10.3389/fchem.2020.00265 http://dx.doi.org/10.3389/fchem.2020.00265

ZHANG H ， SUI N ， CHI X C ， et al . Ultrastable quantum-dot light-emitting diodes by suppression of leakage current and exciton quenching processes ［J］. ACS Applied Materials & Interfaces ， 2016 ， 8 （ 45 ）： 31385 - 31391 . doi: 10.1021/acsami.6b09246 http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b09246

WANG F F ， HUA Q Z ， LIN Q L ， et al . High-performance blue quantum-dot light-emitting diodes by alleviating electron trapping ［J］. Advanced Optical Materials ， 2022 ， 10 （ 13 ）： 2200319 . doi: 10.1002/adom.202200319 http://dx.doi.org/10.1002/adom.202200319

SUN Q J ， SUBRAMANYAM G ， DAI L M ， et al . Highly efficient quantum-dot light-emitting diodes with DNA-CTMA as a combined hole-transporting and electron-blocking layer ［J］. ACS Nano ， 2009 ， 3 （ 3 ）： 737 - 743 . doi: 10.1021/nn8009079 http://dx.doi.org/10.1021/nn8009079

LIU Y ， JIANG C B ， SONG C ， et al . Highly efficient all-solution processed inverted quantum dots based light emitting diodes ［J］. ACS Nano ， 2018 ， 12 （ 2 ）： 1564 - 1570 . doi: 10.1021/acsnano.7b08129 http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.7b08129

ZHENG W Y ， SONG D D ， ZHAO S L ， et al . Performance improvements in all-solution processed inverted QLEDs realized by inserting an electron blocking layer ［J］. Nanotechnology ， 2021 ， 32 （ 33 ）： 335204 . doi: 10.1088/1361-6528/abfe8e http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/abfe8e

ZHENG L L ， ZHAI G M ， ZHANG Y ， et al . Solution-processed blue quantum-dot light-emitting diodes based on double hole transport layers： charge injection balance， solvent erosion control and performance improvement ［J］. Superlattices and Microstructures ， 2020 ， 140 ： 106460 . doi: 10.1016/j.spmi.2020.106460 http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2020.106460

CHEN J F ， SONG D D ， ZHAO S L ， et al . Highly efficient all-solution processed blue quantum dot light-emitting diodes based on balanced charge injection achieved by double hole transport layers ［J］. Organic Electronics ， 2021 ， 94 ： 106169 . doi: 10.1016/j.orgel.2021.106169 http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2021.106169

LAN L H ， LIU B C ， TAO H ， et al . Preparation of efficient quantum dot light-emitting diodes by balancing charge injection and sensitizing emitting layer with phosphorescent dye ［J］. Journal of Materials Chemistry C ， 2019 ， 7 （ 19 ）： 5755 - 5763 . doi: 10.1039/c8tc04991b http://dx.doi.org/10.1039/c8tc04991b

CHEN H T ， DING K ， FAN L W ， et al . All-solution-processed quantum dot light emitting diodes based on double hole transport layers by hot spin-coating with highly efficient and low turn-on voltage ［J］. ACS Applied Materials & Interfaces ， 2018 ， 10 （ 34 ）： 29076 - 29082 . doi: 10.1021/acsami.8b06917 http://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b06917

LUO Z Q ， YU Y S ， YANG K Y ， et al . High-performance cadmium-free blue quantum dot light-emitting devices with stepwise double hole-transport layers ［J］. Advanced Electronic Materials ， 2023 ， 9 （ 3 ）： 2200970 . doi: 10.1002/aelm.202200970 http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202200970

ZHANG Y N ， LIU Y S ， YAN M M ， et al . Efficient quantum-dot light-emitting diodes employing thermally activated delayed fluorescence emitters as exciton harvesters ［J］. ACS Applied Materials & Interfaces ， 2018 ， 10 （ 8 ）： 7435 - 7441 . doi: 10.1021/acsami.7b16579 http://dx.doi.org/10.1021/acsami.7b16579

YANG M ， ZHANG Q ， ZHANG W J ， et al . Enhanced hole transport by doping of a lewis acid to Poly（9-vinylcarbazole） for high efficient quantum dot light-emitting diodes ［J］. Organic Electronics ， 2020 ， 85 ： 105875 . doi: 10.1016/j.orgel.2020.105875 http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2020.105875

GUO Y ， HUANG L K ， WANG C F ， et al . Advances on the application of wide band-gap insulating materials in perovskite solar cells ［J］. Small Methods ， 2023 ， 7 （ 9 ）： 2300377 . doi: 10.1002/smtd.202300377 http://dx.doi.org/10.1002/smtd.202300377

LIN Q L ， WANG L ， LI Z H ， et al . Nonblinking quantum-dot-based blue light-emitting diodes with high efficiency and a balanced charge-injection process ［J］. ACS Photonics ， 2018 ， 5 （ 3 ）： 939 - 946 . doi: 10.1021/acsphotonics.7b01195 http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.7b01195

RAHMATI M ， DAYNEKO S ， PAHLEVANI M ， et al . Highly efficient quantum dot light-emitting diodes by inserting multiple poly（methyl methacrylate） as electron-blocking layers ［J］. Advanced Functional Materials ， 2019 ， 29 （ 50 ）： 1906742 . doi: 10.1002/adfm.201906742 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201906742

ZVAIGZNE M ， ALEXANDROV A ， TKACH A ， et al . Optimizing the PMMA electron-blocking layer of quantum dot light-emitting diodes ［J］. Nanomaterials ， 2021 ， 11 （ 8 ）： 2014 . doi: 10.3390/nano11082014 http://dx.doi.org/10.3390/nano11082014

FU S G ， YIN X J ， TANG Y ， et al . Tuning the structures of polypyridinium salts as bifunctional cathode interfacial layers for all-solution-processed red quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Chinese Chemical Letters ， 2023 ， 34 （ 4 ）： 107411 . doi: 10.1016/j.cclet.2022.04.009 http://dx.doi.org/10.1016/j.cclet.2022.04.009

LIM J ， PARK M ， BAE W K ， et al . Highly efficient cadmium-free quantum dot light-emitting diodes enabled by the direct formation of excitons within InP@ZnSeS quantum dots ［J］. ACS Nano ， 2013 ， 7 （ 10 ）： 9019 - 9026 . doi: 10.1021/nn403594j http://dx.doi.org/10.1021/nn403594j

HU Z C ， ZHANG X ， YIN Q W ， et al . Highly efficient photocatalytic hydrogen evolution from water-soluble conjugated polyelectrolytes ［J］. Nano Energy ， 2019 ， 60 ： 775 - 783 . doi: 10.1016/j.nanoen.2019.04.027 http://dx.doi.org/10.1016/j.nanoen.2019.04.027

DING K ， CHEN H T ， FAN L W ， et al . Polyethylenimine insulativity-dominant charge-injection balance for highly efficient inverted quantum dot light-emitting diodes ［J］. ACS Applied Materials & Interfaces ， 2017 ， 9 （ 23 ）： 20231 - 20238 . doi: 10.1021/acsami.7b04662 http://dx.doi.org/10.1021/acsami.7b04662

KIM J S ， KIM S W ， XU B R ， et al . High-performance quantum dot-light-emitting diodes with a polyethylenimine ethoxylated-modified emission layer ［J］. Thin Solid Films ， 2020 ， 709 ： 138179 . doi: 10.1016/j.tsf.2020.138179 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138179

JIN X ， CHANG C ， ZHAO W F ， et al . Balancing the electron and hole transfer for efficient quantum dot light-emitting diodes by employing a versatile organic electron-blocking layer ［J］. ACS Applied Materials & Interfaces ， 2018 ， 10 （ 18 ）： 15803 - 15811 . doi: 10.1021/acsami.8b00729 http://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b00729

PENG H R ， WANG W G ， CHEN S M . Efficient quantum-dot light-emitting diodes with 4， 4， 4-tris（N-carbazolyl）-triphenylamine （TcTa） electron-blocking layer ［J］. IEEE Electron Device Letters ， 2015 ， 36 （ 4 ）： 369 - 371 . doi: 10.1109/led.2015.2398850 http://dx.doi.org/10.1109/led.2015.2398850

ZHANG W J ， YANG L ， ZHANG Q B ， et al . CdSe/ZnS quantum-dot light-emitting diodes with spiro-OMeTAD as buffer layer ［J］. IEEE Transactions on Electron Devices ， 2019 ， 66 （ 11 ）： 4901 - 4906 . doi: 10.1109/ted.2019.2937788 http://dx.doi.org/10.1109/ted.2019.2937788

YUN J ， KIM J ， JANG H K ， et al . Controlling charge balance using non-conjugated polymer interlayer in quantum dot light-emitting diodes ［J］. Organic Electronics ， 2017 ， 50 ： 82 - 86 . doi: 10.1016/j.orgel.2017.07.028 http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2017.07.028

LI X M ， RUI M C ， SONG J Z ， et al . Carbon and graphene quantum dots for optoelectronic and energy devices： a review ［J］. Advanced Functional Materials ， 2015 ， 25 （ 31 ）： 4929 - 4947 . doi: 10.1002/adfm.201501250 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201501250

QIAN Z S ， SHAN X Y ， CHAI L J ， et al . A fluorescent nanosensor based on graphene quantum dots-aptamer probe and graphene oxide platform for detection of lead （Ⅱ） ion ［J］. Biosensors and Bioelectronics ， 2015 ， 68 ： 225 - 231 . doi: 10.1016/j.bios.2014.12.057 http://dx.doi.org/10.1016/j.bios.2014.12.057

YANG Z X ， ZHENG K ， LU G Z ， et al . Easily controlled 2D GO film as electronic barrier layer to realize charge transport equilibrium of QLED with greatly enhanced EQE ［J］. Organic Electronics ， 2020 ， 83 ： 105761 . doi: 10.1016/j.orgel.2020.105761 http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2020.105761

LIU M X ， LIN C ， LI H W ， et al . Positive aging-free SnO 2 -based quantum dot light-emitting diodes with average external quantum efficiency exceeding 24% ［J］. Advanced Functional Materials ， 2025 ： e15270 . doi: 10.1002/adfm.202515270 http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202515270

QU X W ， ZHANG N ， CAI R ， et al . Improving blue quantum dot light-emitting diodes by a lithium fluoride interfacial layer ［J］. Applied Physics Letters ， 2019 ， 114 （ 7 ）： 071101 . doi: 10.1063/1.5087102 http://dx.doi.org/10.1063/1.5087102

CHO K S ， LEE E K ， JOO W J ， et al . High-performance crosslinked colloidal quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Nature Photonics ， 2009 ， 3 （ 6 ）： 341 - 345 . doi: 10.1038/nphoton.2009.92 http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2009.92

QIAN L ， ZHENG Y ， XUE J G ， et al . Stable and efficient quantum-dot light-emitting diodes based on solution-processed multilayer structures ［J］. Nature Photonics ， 2011 ， 5 （ 9 ）： 543 - 548 . doi: 10.1038/nphoton.2011.171 http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2011.171

WU Z H ， LIU P ， ZHANG W D ， et al . Development of InP quantum dot-based light-emitting diodes ［J］. ACS Energy Letters ， 2020 ， 5 （ 4 ）： 1095 - 1106 . doi: 10.1021/acsenergylett.9b02824 http://dx.doi.org/10.1021/acsenergylett.9b02824

CHEN B ， LI D Y ， WANG F . InP quantum dots： synthesis and lighting applications ［J］. Small ， 2020 ， 16 （ 32 ）： 2002454 . doi: 10.1002/smll.202002454 http://dx.doi.org/10.1002/smll.202002454

LIANG X Y ， BAI S ， WANG X ， et al . Colloidal metal oxide nanocrystals as charge transporting layers for solution-processed light-emitting diodes and solar cells ［J］. Chemical Society Reviews ， 2017 ， 46 （ 6 ）： 1730 - 1759 . doi: 10.1039/c6cs00122j http://dx.doi.org/10.1039/c6cs00122j

ACHARYA K P ， TITOV A ， HYVONEN J ， et al . High efficiency quantum dot light emitting diodes from positive aging ［J］. Nanoscale ， 2017 ， 9 （ 38 ）： 14451 - 14457 . doi: 10.1039/c7nr05472f http://dx.doi.org/10.1039/c7nr05472f

ZHANG W J ， CHEN X T ， MA Y H ， et al . Positive aging effect of ZnO nanoparticles induced by surface stabilization ［J］. The Journal of Physical Chemistry Letters ， 2020 ， 11 （ 15 ）： 5863 - 5870 . doi: 10.1021/acs.jpclett.0c01640 http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c01640

CHEN D S ， CHEN D ， DAI X L ， et al . Shelf-stable quantum-dot light-emitting diodes with high operational performance ［J］. Advanced Materials ， 2020 ， 32 （ 52 ）： 2006178 . doi: 10.1002/adma.202006178 http://dx.doi.org/10.1002/adma.202006178

CHEN Z N ， SU Q ， QIN Z Y ， et al . Effect and mechanism of encapsulation on aging characteristics of quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Nano Research ， 2021 ， 14 （ 1 ）： 320 - 327 . doi: 10.1007/s12274-020-3091-3 http://dx.doi.org/10.1007/s12274-020-3091-3

WANG H C ， ZHANG H ， CHEN H Y ， et al . Cadmium-free InP/ZnSeS/ZnS heterostructure-based quantum dot light-emitting diodes with a ZnMgO electron transport layer and a brightness of over 10 000 cd m -2 ［J］. Small ， 2017 ， 13 （ 13 ）： 1603962 . doi: 10.1002/smll.201603962 http://dx.doi.org/10.1002/smll.201603962

PU C D ， DAI X L ， SHU Y F ， et al . Electrochemically-stable ligands bridge the photoluminescence-electroluminescence gap of quantum dots ［J］. Nature Communications ， 2020 ， 11 （ 1 ）： 937 . doi: 10.1038/s41467-020-14756-5 http://dx.doi.org/10.1038/s41467-020-14756-5

ZHANG Q K ， YANG K Y ， LUO C Y ， et al . Nanosecond response perovskite quantum dot light-emitting diodes with ultra-high resolution for active display application ［J］. Light： Science & Applications ， 2025 ， 14 （ 1 ）： 285 . doi: 10.1038/s41377-025-01959-y http://dx.doi.org/10.1038/s41377-025-01959-y

HAN Y F ， DONG H L ， PAN W ， et al . An efficiency of 16.46% and a T 80 lifetime of over 4000 h for the PM6：Y6 inverted organic solar cells enabled by surface acid treatment of the zinc oxide electron transporting layer ［J］. ACS Applied Materials & Interfaces ， 2021 ， 13 （ 15 ）： 17869 - 17881 . doi: 10.1021/acsami.1c02613 http://dx.doi.org/10.1021/acsami.1c02613

LEE C ， MOON H ， KIM J ， et al . Ethanedithiol treatment on zinc oxide films for highly efficient quantum dot light-emitting diodes by reducing exciton quenching ［J］. Journal of the Optical Society of America B ， 2020 ， 37 （ 2 ）： 304 - 310 . doi: 10.1364/josab.379767 http://dx.doi.org/10.1364/josab.379767

WANG Y C ， ZHANG H Z ， JI W Y . Efficient quantum-dot light-emitting diodes based on solvent-annealed SnO 2 electron-transport layers ［J］. ACS Applied Electronic Materials ， 2023 ， 5 （ 1 ）： 537 - 543 . doi: 10.1021/acsaelm.2c01560 http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.2c01560

YOON S Y ， LEE Y J ， YANG H ， et al . Performance enhancement of InP quantum dot light-emitting diodes via a surface-functionalized ZnMgO electron transport layer ［J］. ACS Energy Letters ， 2022 ， 7 （ 7 ）： 2247 - 2255 . doi: 10.1021/acsenergylett.2c01065 http://dx.doi.org/10.1021/acsenergylett.2c01065

CAI F S ， TU Y F ， TIAN D D ， et al . Defect passivation and electron band energy regulation of a ZnO electron transport layer through synergetic bifunctional surface engineering for efficient quantum dot light-emitting diodes ［J］. Nanoscale ， 2023 ， 15 （ 25 ）： 10677 - 10684 . doi: 10.1039/d3nr01194a http://dx.doi.org/10.1039/d3nr01194a

WANG Z Y ， ZHU X J ， FENG J S ， et al . Antisolvent- and annealing-free deposition for highly stable efficient perovskite solar cells via modified ZnO ［J］. Advanced Science ， 2021 ， 8 （ 13 ）： 2002860 . doi: 10.1002/advs.202002860 http://dx.doi.org/10.1002/advs.202002860

JIN W X ， HE S Y ， LU X Y ， et al . Water-induced high-performance quantum-dot light-emitting diodes ［J/OL］. Nature Photonics ， 2025 . doi: 10.1038/s41566-025-01757-3 http://dx.doi.org/10.1038/s41566-025-01757-3

CHEN Z N ， CHEN S M . Eliminating positive aging in quantum dot light-emitting diodes by H 2 O-treatment ［J］. Advanced Materials ， 2025 ， 37 （ 32 ）： 2503477 . doi: 10.1002/adma.202503477 http://dx.doi.org/10.1002/adma.202503477

QU X W ， MA J R ， LIU P ， et al . On the voltage sweep behavior of quantum dot light-emitting diode ［J］. Nano Research ， 2023 ， 16 （ 4 ）： 5511 - 5516 . doi: 10.1007/s12274-022-5106-8 http://dx.doi.org/10.1007/s12274-022-5106-8

SHIN D H ， LAMPANDE R ， KIM S J ， et al . Understanding the origin of degradation of InP-quantum dot light-emitting diodes ［J］. Advanced Electronic Materials ， 2022 ， 8 （ 10 ）： 2200256 . doi: 10.1002/aelm.202200256 http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202200256

CHEN Z N ， QIN Z Y ， SU S K ， et al . The influence of H 2 O and O 2 on the optoelectronic properties of inverted quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Nano Research ， 2021 ， 14 （ 11 ）： 4140 - 4145 . doi: 10.1007/s12274-021-3354-7 http://dx.doi.org/10.1007/s12274-021-3354-7

BAE W K ， PARK Y S ， LIM J ， et al . Controlling the influence of Auger recombination on the performance of quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Nature Communications ， 2013 ， 4 （ 1 ）： 2661 . doi: 10.1038/ncomms3661 http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3661

JIN X D ， YUN Z K ， ZHAI G M ， et al . ZnO/silica quasi core/shell nanoparticles as electron transport materials for high-performance quantum-dot light-emitting diodes ［J］. Ceramics International ， 2023 ， 49 （ 13 ）： 22304 - 22312 . doi: 10.1016/j.ceramint.2023.04.060 http://dx.doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.04.060

WEI J F ， JI G Q ， ZHANG C J ， et al . Silane-capped ZnO nanoparticles for use as the electron transport layer in inverted organic solar cells ［J］. ACS Nano ， 2018 ， 12 （ 6 ）： 5518 - 5529 . doi: 10.1021/acsnano.8b01178 http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.8b01178

JIANG C B ， MU L ， ZOU J H ， et al . Full-color quantum dots active matrix display fabricated by ink-jet printing ［J］. Science China Chemistry ， 2017 ， 60 （ 10 ）： 1349 - 1355 . doi: 10.1007/s11426-017-9087-y http://dx.doi.org/10.1007/s11426-017-9087-y

HOU R X ， HU R R ， ZHANG X T ， et al . Simultaneous achievement of high efficiency and brightness at low bias in red InP/ZnSe/ZnSeS/ZnS quantum dot light-emitting diodes ［J］. Journal of Power Sources ， 2025 ， 632 ： 236355 . doi: 10.1016/j.jpowsour.2025.236355 http://dx.doi.org/10.1016/j.jpowsour.2025.236355

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