Forschungsfortschritte bei der Herstellung von Hochleistungs-Quantenpunkt-Leuchtdioden basierend auf einer Schnittstellenmodifikationsschicht

LUO Chengyu ,  

ZHONG Chao ,  

CHEN Jialei ,  

LIN Lihua ,  

HU Hailong ,  

LI Fushan ,  

摘要

Als Träger visueller Informationen spielen Monitore in einem immer digitaler und intelligenter werdenden Leben eine unverzichtbare Rolle. Quantenpunkt-Leuchtdioden (QLEDs) stehen dank ihrer hervorragenden Leistung kurz davor, die nächste Welle der Displaytechnologie anzuführen und könnten den internationalen Displaypanelmarkt neu gestalten. Dennoch ist die praktische Anwendung von QLED-Geräten derzeit noch durch einige Einschränkungen begrenzt, wie etwa dass Leuchtleistung und Lebensdauer noch nicht den Anforderungen für den kommerziellen Einsatz entsprechen. Zur Herstellung von Hochleistungs-QLEDs ist die Modifikation der Schnittstellen der Funktionsschichten eine in der Forschung häufig eingesetzte Methode. Basierend darauf fasst diese Übersicht den Forschungsstand zur Schnittstellenmodifikation von QLEDs aus mehreren Perspektiven zusammen, analysiert detailliert die Modifikationsmechanismen und deren Einfluss auf die Leistung von QLEDs. Abschließend werden die bestehenden Defizite in der Entwicklung von QLEDs aufgezeigt und zukünftige Entwicklungsperspektiven vorgestellt. Es wird erwartet, dass diese Übersicht wertvolle Referenzen für die akademische Forschung und Industrialisierung von QLEDs liefert.

关键词

Quantenpunkt-Leuchtdioden;Schnittstellenmodifikation;Funktionsschichten;Leistung

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