基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展

罗承宇; 钟超; 陈佳蕾; 林立华; 胡海龙; 李福山

doi:10.37188/CJLCD.2025-0194

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基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展

量子点发光器件 | 更新时间：2026-01-26

- 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展
- Advances in preparation of high-performance quantum dot light-emitting diodes based on interfacial modification layers
- “量子点发光二极管（QLEDs）作为下一代显示技术，其界面修饰研究进展为提升性能和寿命提供新思路，有望重塑国际显示面板市场格局。”
- 液晶与显示 2026年41卷第1期页码：120-141
- 作者机构：
  
  1.福州大学物理与信息工程学院，福建福州 350108
  2.中国福建省光电信息科技创新实验室，福建福州 350108
- 作者简介：
  
  [ "罗承宇，男，博士研究生，2023 年于福州大学获得学士学位，主要从事量子点发光器件的制备、性能提升以及工作机理的研究。E-mail：2427884789@qq.com" ]
  [ "李福山，男，博士，研究员，2005 年于北京大学获得博士学位，主要从事量子点光电材料与器件的研究。E-mail：fsli@fzu.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(52572156)
- DOI：10.37188/CJLCD.2025-0194
  中图分类号： TN312⁺.8;TN383⁺.1
- CSTR：32172.14.CJLCD.2025-0194
- 收稿：2025-09-24，
  
  修回：2025-10-15，
  
  纸质出版：2026-01-05
- 稿件说明：
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罗承宇, 钟超, 陈佳蕾, 等. 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展[J]. 液晶与显示, 2026,41(1):120-141.

LUO Chengyu, ZHONG Chao, CHEN Jialei, et al. Advances in preparation of high-performance quantum dot light-emitting diodes based on interfacial modification layers[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(1): 120-141.
罗承宇, 钟超, 陈佳蕾, 等. 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展[J]. 液晶与显示, 2026,41(1):120-141. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0194. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0194.

LUO Chengyu, ZHONG Chao, CHEN Jialei, et al. Advances in preparation of high-performance quantum dot light-emitting diodes based on interfacial modification layers[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(1): 120-141. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0194. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0194.

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