TFT-LCD制程对低频横纹色差的影响及研究

顾小祥; 杨丽; 曾龙

doi:10.3788/YJYXS20193402.0160

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TFT-LCD制程对低频横纹色差的影响及研究

材料与器件 | 更新时间：2020-07-05

- TFT-LCD制程对低频横纹色差的影响及研究
- Influence and research of TFT-LCD process on low frequency striped Mura
- 液晶与显示 2019年34卷第2期页码：160-168
- 作者机构：
  
  昆山龙腾光电有限公司, 江苏昆山 215301
- 作者简介：
  
  [ "顾小祥(1987-), 男, 江苏盐城人, 学士, 工程师, 2009年于扬州大学获得学士学位, 主要从事TFT-LCD显示技术方面的研究。E-mail:Coolgu@ivo.com.cn" ]
- 基金信息：
- DOI：10.3788/YJYXS20193402.0160
  中图分类号： TN27
- 收稿日期：2018-04-05，
  
  录用日期：2018-12-20，
  
  纸质出版日期：2019-02-05
- 稿件说明：
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顾小祥, 杨丽, 曾龙. TFT-LCD制程对低频横纹色差的影响及研究[J]. 液晶与显示, 2019,34(2):160-168.

Xiao-xiang GU, Li YANG, Long ZENG. Influence and research of TFT-LCD process on low frequency striped Mura[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2019, 34(2): 160-168.
顾小祥, 杨丽, 曾龙. TFT-LCD制程对低频横纹色差的影响及研究[J]. 液晶与显示, 2019,34(2):160-168. DOI： 10.3788/YJYXS20193402.0160.

Xiao-xiang GU, Li YANG, Long ZENG. Influence and research of TFT-LCD process on low frequency striped Mura[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2019, 34(2): 160-168. DOI： 10.3788/YJYXS20193402.0160.

摘要

LC配向的均一性在LCD中是必不可少的，光配向制程是通过施加紫外偏振光照射在IPS（In-Plane Switch）LCD中形成液晶配向沟槽的一种技术，然而紫外光照射的同时会损伤TFT器件，使非晶硅层产生光生载流子，电子发生迁移，导致TFT漏电流从而影响图像品质，产生横纹色差。在低频时，栅极开关时间延长，相邻扫描线之间容易发生混充电现象，部分充电截止的像素重新充电，从而使横纹色差变严重。本文从制程和电性调整方面对低频横纹色差进行了研究，结果表明：（1）紫外光照射后进行烘烤，可以有效降低漏电流，高温度（240℃）+长时间（4 200 s）改善低频横纹色差效果佳（比例：0.00%）；（2）延长Out Enable（4.8

s）+降低

（18 V）+提高GOA（Gate On Array）电路中电压

SS_Q

（-7.5 V），改善低频横纹色差效果佳（比例：0.00%）。

Abstract

Uniform LC alignment is indispensable in LCD

and photo-alignment process is one technology to form liquid crystal alignment grooves in IPS (In-Plane Switch) LCD by applying polarized UV irradiation. However

UV exposure treatment will simultaneously damage TFT device that produces photo generated electrons and electronic migration on amorphous silicon layer. The TFT leakage current will lead to poor image quality. At low frequency

mixed-charge phenomenon is easily occurred between neighboring scan line due to longer gate switching time

parts of off-pixels re-charged then enhance striped Mura appearance. In this paper

we discuss the impacts on low frequency Mura from process and electrical property. The results show that:(1) Applying thermal treatment after UV irradiation can effectively reduce the leakage current

high temperature (240℃)+ long time(4 200 s) can improve low frequency Mura(Ratio:0.00%); (2) Extending the out enable time (4.8

s)+reducing

(18 V)+increasing GOA circuit static operating point voltage

SS_Q

(-7.5 V) can improve low frequency Mura(Ratio:0.00%).

关键词

Keywords

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