RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究

蒋会刚; 高建剑; 王晏酩; 赵海生; 王辉; 吴超

doi:10.3788/YJYXS20173207.0518

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RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究

材料科学 | 更新时间：2020-08-12

- RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究
- Improvement of aluminum corrosion of ADS products by RIE etching mode dry etching
- 液晶与显示 2017年32卷第7期页码：518-525
- 作者机构：
  
  北京京东方光电科技有限公司, 北京 100176
- 作者简介：
  
  [ "蒋会刚(1987-), 男, 黑龙江牡丹江人, 毕业于北京工商大学, 本科生, 现就职于BOEOT, 高级工程师, 主要从事TFT-LCD干法刻蚀相关工作." ]
  [ "高建剑(1987-), 男, 山西阳泉人, 毕业于北京化工大学, 本科生, 现就职于BOEOT, 高级工程师, 主要从事TFT-LCD干法刻蚀相关工作, E-mail:gaojianjian@boe.com.cn" ]
  [ "王晏酩(1981-), 男, 北京人, 毕业于北京大学, 本科生, 现就职于BOEOT, 资深高级工程师, 主要从事TFT-LCD刻蚀相关工作, E-mail:wangyanming@boe.com.cn" ]
  [ "赵海生(1981-), 男, 辽宁北票人, 毕业于中国石油大学, 本科生, 现就职于BOEOT, 资深高级工程师, 主要从事TFT-LCD阵列检测相关工作, E-mail:zhaohaisheng@boe.com.cn" ]
  [ "王辉(1981-), 男, 北京人, 毕业于北京工业大学, 本科生, 现就职于BOEOT, 资深高级工程师, 主要从事TFT-LCDArray相关工作, E-mail:wanghui_ot@boe.com.cn" ]
  [ "吴超(1982-), 男, 吉林双辽人, 毕业于中南大学, 本科生, 现就职于BOEOT, 高级工程师, 主要从事TFT-LCD生产工作, E-mail:wuchao_ot@boe.com.cn" ]
- 基金信息：
  
  京东方研发基金;Supported by BOE Development Fund
- DOI：10.3788/YJYXS20173207.0518
  中图分类号： TN141.9
- 收稿日期：2017-03-08，
  
  录用日期：2017-4-10，
  
  纸质出版日期：2017-07-05
- 稿件说明：
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蒋会刚, 高建剑, 王晏酩, 等. RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究[J]. 液晶与显示, 2017,32(7):518-525.

Hui-gang JIANG, Jian-jian GAO, Yan-ming WANG, et al. Improvement of aluminum corrosion of ADS products by RIE etching mode dry etching[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2017, 32(7): 518-525.
蒋会刚, 高建剑, 王晏酩, 等. RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究[J]. 液晶与显示, 2017,32(7):518-525. DOI： 10.3788/YJYXS20173207.0518.

Hui-gang JIANG, Jian-jian GAO, Yan-ming WANG, et al. Improvement of aluminum corrosion of ADS products by RIE etching mode dry etching[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2017, 32(7): 518-525. DOI： 10.3788/YJYXS20173207.0518.

摘要

Full-in-cell（FIC）产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构，使用Reactive Ion Etching（RIE）模式干法刻蚀设备进行N+ Etch时，氯的化合物会吸附在信号线中的Al线侧壁及光刻胶的表面，当玻璃基板离开刻蚀腔体接触到空气，遇到水分发生水解反应，对Al线造成腐蚀，严重影响产品特性。本文在RIE刻蚀模式腔体内采用刻蚀条件变更改善Al腐蚀现象，通过对刻蚀的前处理步骤，后处理步骤以及去静电步骤的参数包括压强、功率和时间以及气体流量比进行实验设计并对数据进行分析。实验结果表明当后处理步骤2 000 W，O

/SF

比例为2 000 mL·min

-1

/50 mL·min

-1

压强为200 mt（1 mt=0.133 Pa），Time为15 s为最优条件，可以彻底改善Al腐蚀现象。此条件TFT特性方面更加优越，Dark

为1.91

A，Photo

off

为4.1 pA。

Abstract

Full-in-cell (FIC) product signal line SD-layer is Mo-Al-Mo structure

when using Reactive Ion Etching (RIE) mode dry etching device for N + etching

the chlorine compounds absorbed on the side wall surface of the Al and photoresist line

when the glass substrate is etched away from the chamber exposed to air

the moisture encountered hydrolysis reaction

which will cause corrosion of Al wire and seriously affect the product characteristics. In this paper

the Al etching phenomenon is improved by changing the etching conditions in the RIE etching mode cavity. Related experimental design and data analysis of the parameters of the pretreatment step

the post-treatment step and the de-static step including the pressure

power and time and the gas ratio is discussed. The experimental results show that the Al corrosion can be improved when the post-treatment step is 2 000 W

the ratio of O

/SF

is 2 000 mL·min

-1

/50 mL·min

-1

the pressure is 200 mt and the time is 15 s. This condition is more advantageous in terms of TFT characteristics

Dark

is 1.91

Photo

off

is 4.1 pA.

关键词

Keywords

references

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