感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善

徐纯洁; 张福刚; 崔立加; 张雪峰; 徐浩; 刘日久; 李根范; 王世凯; 郑载润

doi:10.3788/YJYXS20173204.0265

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感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善

材料与器件 | 更新时间：2020-07-07

- 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善
- Improvement of photoresist abnormal degeneration in inductively coupled plasma etch
- 液晶与显示 2017年32卷第4期页码：265-268
- 作者机构：
  
  合肥鑫晟光电科技有限公司, 安徽合肥 230011
- 作者简介：
  
  徐纯洁 (1986-), 男, 安徽合肥人, 硕士, 高级工程师, 主要从事液晶显示行业中干法刻蚀工艺调试及设备管理等工作。E-mail:xuchunjie@boe.com.cn
- 基金信息：
- DOI：10.3788/YJYXS20173204.0265
  中图分类号： TN141.9
- 收稿日期：2016-11-11，
  
  录用日期：2016-11-18，
  
  纸质出版日期：2017-04
- 稿件说明：
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徐纯洁, 张福刚, 崔立加, 等. 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善[J]. 液晶与显示, 2017,32(4):265-268.

Chun-jie XU, Fu-gang ZHANG, Li-jia CUI, et al. Improvement of photoresist abnormal degeneration in inductively coupled plasma etch[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2017, 32(4): 265-268.
徐纯洁, 张福刚, 崔立加, 等. 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善[J]. 液晶与显示, 2017,32(4):265-268. DOI： 10.3788/YJYXS20173204.0265.

Chun-jie XU, Fu-gang ZHANG, Li-jia CUI, et al. Improvement of photoresist abnormal degeneration in inductively coupled plasma etch[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2017, 32(4): 265-268. DOI： 10.3788/YJYXS20173204.0265.

摘要

通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置，研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明：下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差，导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性。经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围，改善光刻胶变性残留问题。

Abstract

Comparing with the degenerated map of photoresist with substrate under different condition of inductively coupled plasma (ICP) etch recipe

this article explored the relationship between the degeneration of photoresist and the structure of electrode. Research results showed that the edge of electrode

which we called Dam Area

has poor cooling performance

thus leading to much more possibility of degeneration. We also developed an optimized Dam structure of electrode that can be used to enhance the cooling performance of the substrate

and solved the degeneration issue.

关键词

Keywords

references

王晨飞.半导体工艺中的新型刻蚀技术-ICP[J].红外, 2005(1):17-22.

WANG C F. New etching technology in semiconductor process-ICP[J]. Infrared , 2005(1):17-22. (in Chinese)

樊中朝, 余金中, 陈少武.ICP刻蚀技术及其在光电子器件制作中的应用[J].微细加工技术, 2003(2):21-28.

FAN Z C, YU J Z, CHEN S W. Inductively coupled plasma etching technology and its application in optoelectronic devices fabrication[J]. Microfabrication Technology, 2003(2):21-28. (in Chinese)

乔辉, 刘诗嘉, 刘向阳, 等.感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性[J].半导体光电, 2016, 37(1):59-62.

QIAO H, LIU S J, LIU X Y, et al. Abnormality of photoresist mask exposed to inductively coupled plasma dry etching[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(1):59-62. (in Chinese)

王亮, 王文青, 李鑫, 等.增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响[J].液晶显示, 2012, 27(2):204-207.

WANG L, WANG W Q, LI X, et al. Effects of PR ashing in process of enhanced capacitive coupled plasma etch[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays , 2012, 27(2) 204-207. (in Chinese)

郑载润, 郑云友, 侯智, 等.O 2 /SF 6 混合气体对光刻胶的离子刻蚀研究[J].现代显示, 2007(10):41-44.

ZHENG Z R, ZHENG Y Y, HOU Z, et al. Research on reactive ion etching of PR in O 2 /SF 6 mixtures[J]. Advanced Display, 2007(10):41-44. (in Chinese)

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