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基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究
器件物理及器件制备技术 | 更新时间:2020-08-12
    • 基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究

    • Process and properties of oxide IGZO TFT device based on flexible PI substrate

    • 液晶与显示   2015年30卷第5期 页码:796-800
    • DOI:10.3788/YJYXS20153005.0796    

      中图分类号: TN321.5
    • 收稿日期:2014-11-06,

      修回日期:2015-02-15,

      纸质出版日期:2015-10-05

    移动端阅览

  • 陈龙龙, 张建华, 李喜峰, 石继锋, 孙翔. 基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究[J]. 液晶与显示, 2015,30(5): 796-800 DOI: 10.3788/YJYXS20153005.0796.

    CHEN Long-long, ZHANG Jian-hua, LI Xi-feng, SHI Ji-feng, SUN Xiang. Process and properties of oxide IGZO TFT device based on flexible PI substrate[J]. , 2015,30(5): 796-800 DOI: 10.3788/YJYXS20153005.0796.

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