Flash存储器下的显示数据差错控制

周文辉; 邓春健; 官祥飞

doi:10.3788/YJYXS20153004.0660

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Flash存储器下的显示数据差错控制

器件驱动与控制 | 更新时间：2020-08-12

- Flash存储器下的显示数据差错控制
- Error control of display data based on flash memory
- 液晶与显示 2015年30卷第4期页码：660-665
- 作者机构：
  
  1. 电子科技大学中山学院,广东中山,528402
  2. 电子科技大学自动化工程学院,四川成都,610054
  3. 电子科技大学计算机科学与工程学院,四川成都,611731
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目(No.61302115)();广东省自然科学基金(No.S2013010015764)();广东省高等学校优秀青年教师培养计划项目(No.Yq20
- DOI：10.3788/YJYXS20153004.0660
  中图分类号： TP79
- 收稿日期：2015-01-04，
  
  修回日期：2015-03-07，
  
  网络出版日期：2015-03-10，
  
  纸质出版日期：2015-08-05
- 稿件说明：
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周文辉, 邓春健, 官祥飞. Flash存储器下的显示数据差错控制[J]. 液晶与显示, 2015,30(4): 660-665

ZHOU Wen-hui, DENG Chun-jian, GUAN Xiang-fei. Error control of display data based on flash memory[J]. , 2015,30(4): 660-665
周文辉, 邓春健, 官祥飞. Flash存储器下的显示数据差错控制[J]. 液晶与显示, 2015,30(4): 660-665 DOI： 10.3788/YJYXS20153004.0660.

ZHOU Wen-hui, DENG Chun-jian, GUAN Xiang-fei. Error control of display data based on flash memory[J]. , 2015,30(4): 660-665 DOI： 10.3788/YJYXS20153004.0660.

摘要

Flash存储器常作为嵌入式大屏幕显示系统的显示信息存储设备

然而Flash存储器在使用时会存在诸如位反转等读写操作出错的问题

给系统的正常显示控制带来隐患。对Flash存储器存储误码率进行了分析

并结合显示数据存取的特点

设计了差错控制编码来实现Flash存储器下的显示数据差错控制。结合嵌入式控制系统的特点

设计了一种基于(31

26)循环汉明码编译码电路

在实际应用中可以将误码率降低至少1个数量级以上

提升了数据存储器抗突发干扰和随机干扰的能力

同时具有较低的设计复杂度。

Abstract

Flash memory is often used as display information storage devices of embedded large screen display system

however flash memory exists errors such as bit upset in reading or writing operation

that will bring the hidden dangers to normal display of system.Flash memory error rate and display data access characteristics are analyzed to design the display data error control under flash memory.Considering the characteristics of embedded control system

a (31

26) cyclic Hamming encoding and decoding circuit is designed

which can reduce the error rate of an order of magnitude

and enhance the ability of anti burst interference and anti random interference

at the same time have the design of low complexity.

关键词

Keywords

references

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