有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响

李田生; 谢振宇; 李婧; 阎长江; 徐少颖; 陈旭; 闵泰烨

doi:10.3788/YJYXS20132805.0720

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响

器件物理及器件制备技术 | 更新时间：2020-08-12

- 有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响
- Effect of Active Layer Etch Conditions Improvement on TFT-LCD Quality
- 液晶与显示 2013年28卷第5期页码：720-725
- 作者机构：
  
  北京京东方光电科技有限公司北京,100176
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  京东方研发基金(No.10S_VHM)()
- DOI：10.3788/YJYXS20132805.0720
  中图分类号： TN141.9
- 收稿日期：2012-11-27，
  
  修回日期：2013-01-05，
  
  纸质出版日期：2013-10-15
- 稿件说明：
移动端阅览
李田生, 谢振宇, 李婧, 阎长江, 徐少颖, 陈旭, 闵泰烨. 有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响[J]. 液晶与显示, 2013,28(5): 720-725

LI Tian-sheng, XIE Zhen-yu, LI Jing, YAN Chang-jiang, XU Shao-ying, CHEN Xu, MIN Tai-ye. Effect of Active Layer Etch Conditions Improvement on TFT-LCD Quality[J]. , 2013,28(5): 720-725
李田生, 谢振宇, 李婧, 阎长江, 徐少颖, 陈旭, 闵泰烨. 有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响[J]. 液晶与显示, 2013,28(5): 720-725 DOI： 10.3788/YJYXS20132805.0720.

LI Tian-sheng, XIE Zhen-yu, LI Jing, YAN Chang-jiang, XU Shao-ying, CHEN Xu, MIN Tai-ye. Effect of Active Layer Etch Conditions Improvement on TFT-LCD Quality[J]. , 2013,28(5): 720-725 DOI： 10.3788/YJYXS20132805.0720.

摘要

TFT-LCD产品为现代显示的主流

如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题

尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出

严重影响了产品的良率

降低了产品的品质

文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题

而是有源层刻蚀工艺所导致的

并有针对性地进行了试验设计

分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果

根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题

从而将产品的良率提升了3%~4%

而电学性能评价(

:开态电流、

off

:关态电流、

:阈值电压、迁移率)和正常条件相比没有异常

从而获得了最终完美的解决该不良的方案

提高了产品品质。

Abstract

In the trend of TFT-LCD display products

how to improve the quality of display is the main issue we commonly concern about

especially for the defect of black hole which was recently discovered and serious impact on product yield and reduce the quality. The main reasons of black hole were studied. To our surprised

active layer etching process was the main factor not the hole etch process

following with targeted trial design

the active etch condition and additional one step etch process were researched to solve problem. According to the experimental results of the additional one step etch

a solution to enhance product yield of about 3%~4% was found. The electronic parameter measurement was evaluated(

、

off

、

、Mobility) and compared to the normal conditions without exception. Finally

a perfect solution was obtained. Therefore

the products quality was improved.

关键词

Keywords

references

吴洪江,王威,龙春平. 一种TFT-LCD vertical block Mura的研究与改善 [J]. 液晶与显示,2007,22(4):433-439.[2] 路林林,于洋,徐帅. TFT-LCD关机横纹缺陷分析 [J]. 液晶与显示,2011,26(4):465-468.[3] 徐宇博. TFT-LCD画面品质改善的研究与分析[D].天津:天津大学,2006.[4] 彭毅雯,徐伟,罗毅,等. TFT-LCD面影像残留改善研究 [J]. 液晶与显示, 2012,27(1):66-69.[5] 苏子芳,黄霞,张少楠,等. 制程停留时间对液晶显示器件影像残留的影响 [J]. 液晶与显示, 2012,27(1):70-74.[6] 石天雷,杨国波,程石,等. Zara漏光和Rubbing Mura改善研究 [J]. 液晶与显示, 2012,27(2):208-211.[7] 林鸿涛, 郤玉生, 胡海琛, 等. TFT-LCD中驱动信号对线残像的改善研究 [J]. 液晶与显示, 2012,27(3):359-363.[8] 蒋冬华,李淳东,李炳天. TFT-LCD制造工艺中金属残留的解决方案[J]. 液晶与显示, 2011,26(2):170-173.[9] 王大海,李轶华,孙艳,等. 多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀 [J]. 液晶与显示,2002,17(1):60-64.[10] 闫方亮,沈世妃,侯智,等. a-Si厚度对TFT开关特性的影响 [J]. 现代显示, 2011,(7):23-28.[11] 赵颖.高性能a-Si TFT矩阵的研究[D].天津:南开大学,1995.[12] 曲连杰,陈旭,郭建,等. 氮化硅在触摸屏中的应用分析 [J]. 液晶与显示 2012,27(4):466-471.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备

TFT-LCD制造工艺中金属或金属复合膜层坡度角的研究

高性能钆铝锌氧薄膜晶体管的制备

TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究

过孔刻蚀工艺优化对过孔尺寸减小的研究