改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法

张光明; 刘杰; 徐守宇; 郑云友; 吴成龙; 曲泓铭; 李伟; 宋泳珍; 李正勳

doi:10.3788/YJYXS20132802.0224

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改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法

器件物理及器件制备技术 | 更新时间：2020-08-12

- 改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法
- Preventing Method of Al Corrosion for Applying Improved 4-Mask
- 液晶与显示 2013年28卷第2期页码：224-227
- 作者机构：
  
  北京京东方显示技术有限公司北京,100176
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.3788/YJYXS20132802.0224
  中图分类号： TN305.7
- 收稿日期：2012-08-23，
  
  修回日期：2012-09-13，
  
  纸质出版日期：2013-04-15
- 稿件说明：
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张光明, 刘杰, 徐守宇, 郑云友, 吴成龙, 曲泓铭, 李伟, 宋泳珍, 李正勳. 改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法[J]. 液晶与显示, 2013,28(2): 224-227

ZHANG Guang-ming, LIU Jie, XU Shou-yu, ZHENG Yun-you, WU Cheng-long, QU Hong-ming, LI Wei, SONG Yong-zhen, LI Zheng-xun. Preventing Method of Al Corrosion for Applying Improved 4-Mask[J]. , 2013,28(2): 224-227
张光明, 刘杰, 徐守宇, 郑云友, 吴成龙, 曲泓铭, 李伟, 宋泳珍, 李正勳. 改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法[J]. 液晶与显示, 2013,28(2): 224-227 DOI： 10.3788/YJYXS20132802.0224.

ZHANG Guang-ming, LIU Jie, XU Shou-yu, ZHENG Yun-you, WU Cheng-long, QU Hong-ming, LI Wei, SONG Yong-zhen, LI Zheng-xun. Preventing Method of Al Corrosion for Applying Improved 4-Mask[J]. , 2013,28(2): 224-227 DOI： 10.3788/YJYXS20132802.0224.

摘要

为了减少制造工艺的流程

改进的4-Mask工艺被广泛应用。但这个工艺仍存在一些问题

如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(5.9 h)

则有源层刻蚀所用气体Cl

形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀。除了缩短上述间隔时间的方法外

本文应用有源层刻蚀后处理加入SF

的方法

很好地阻止了对Al的腐蚀

对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。

Abstract

Improved 4-Mask process was developed in order to reduce manufacturing process.This process has several issues.If the delay time between Active Etch and 2SD Wet Etch was too long(5.9 h)

there will be Al corrosion in the channel by Cl

which is used by Active Etch. However

it brings a matter to a successfully settlement and meets with good results about Al corrosion prevention with adding SF

in the After-Treatment of Active Etch. Moreover

it brings successfully results to be applied to improved 4-Mask process.

关键词

Keywords

references

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