高性能顶栅结构有机薄膜晶体管

洪飞; 谭莉; 朱棋锋; 向长江; 韩学斌; 张其国; 郭晓东; 申剑锋

doi:10.3788/YJYXS20122703.0313

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高性能顶栅结构有机薄膜晶体管

器件物理及器件制备技术 | 更新时间：2020-08-12

- 高性能顶栅结构有机薄膜晶体管
- High Performance Organic Thin Film Transistor Based on Top-Gate Configuration
- 液晶与显示 2012年27卷第3期页码：313-317
- 作者机构：
  
  中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心, 上海 201210
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  上海市科委科研项目(No.10dz1100300)()
- DOI：10.3788/YJYXS20122703.0313
  中图分类号： TN321.5
- 收稿日期：2011-12-27，
  
  修回日期：2012-01-16，
  
  网络出版日期：2012-06-15，
  
  纸质出版日期：2012-06-15
- 稿件说明：
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洪飞, 谭莉, 朱棋锋, 向长江, 韩学斌, 张其国, 郭晓东, 申剑锋. 高性能顶栅结构有机薄膜晶体管[J]. 液晶与显示, 2012,(3): 313-317

HONG Fei, TIAN Li, ZHU Qi-feng, XIANG Chang-jiang, HAN Xue-bin, ZHANG Qi-guo, GUO Xiao-dong, SHEN Jian-feng. High Performance Organic Thin Film Transistor Based on Top-Gate Configuration[J]. , 2012,(3): 313-317
洪飞, 谭莉, 朱棋锋, 向长江, 韩学斌, 张其国, 郭晓东, 申剑锋. 高性能顶栅结构有机薄膜晶体管[J]. 液晶与显示, 2012,(3): 313-317 DOI： 10.3788/YJYXS20122703.0313.

HONG Fei, TIAN Li, ZHU Qi-feng, XIANG Chang-jiang, HAN Xue-bin, ZHANG Qi-guo, GUO Xiao-dong, SHEN Jian-feng. High Performance Organic Thin Film Transistor Based on Top-Gate Configuration[J]. , 2012,(3): 313-317 DOI： 10.3788/YJYXS20122703.0313.

摘要

采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料

利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型

发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异

top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT 高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数

迁移率达到1.6 cm

/V·s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异

并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因。

Abstract

Organic thin film transistors based on Weak Epitaxy Growth (WEG) technology are fabricated with two different design: top-gate and bottom-gate configurations. The active layer materials of the OTFT are p-6P and vanadyl phthalocyanine (VOPc). The two structural OTFTs are prepared under the same process conditions

and it is found that the device performance is different. The mobility of top-gate OTFT is much higher than that of the bottom-gate OTFT. A high mobility of 1.6 cm

/V穝 is obtained in the top-gate structure. The differentiation of top-gate and bottom-gate OTFTs is studied by Weak Epitaxy Growth (WEG) technology

and the reasons of higher mobility OTFT based on the top-gate configuration is explained.

关键词

Keywords

references

吴为敬,颜骏,许志平,等. IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较 [J]. 液晶与显示, 2011,26(2): 147-153.

徐小丽,刘如,郭小军,等. 基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析 [J]. 液晶与显示, 2010,25(4): 565-568

Zaumseil Z, Friend R H, Sirringhaus H, et al. Spatial control of the recombination zone in an ambipolar light-emitting organic transistor [J]. Nature Mat., 2006, (1):69-74.

Crone B, Dodabalapur A, Lin Y Y, et al. Large-scale complementary integrated circuits based on organic transistors [J]. Nature, 2000, (403): 521-523.

Someya T, Sekitani T, Kato Y, et al. A large-area, flexible pressure sensor matrix with organic field-effect transistors for artificial skin applications [J]. Proc.Natl. Acad. Sci. USA, 2004, (101):9966-9970.

Kitamura M, Imada T, Arakawa Y, Organic light-emitting diodes driven by pentacene-based thin-film transistors [J]. Appl. Phys. Lett., 2003, 83(16):3410-3412.

Kelly T W, Muyres D V, Baude P F, et al. High performance organic thin film transistors [J]. Mat. Res.Soc. Symp. Proc.,2003, 771:169-179.

Wang H B, Zhu F, Ya D H, et al. Weak Epitaxy Growth Affording High-Mobility Thin Films of Disk-Like Organic Semiconductors [J]. Adv. Mater. ,2007, 19(16):2168-2171.

Wang H B, Song D, Yan D H, et al. High mobility vanadyl-phthalocyanine polycrystalline films for organic field-effect transistors [J].Appl. Phys. Lett.,2007, (90):253510(1-3).

刘向,刘惠,薛钰芝. OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究 [J]. 液晶与显示, 2009,24(1):66-70.

袁剑锋,闫东航,许武. 有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究 [J]. 液晶与显示, 2004,19(3):168-173.

廖燕平,王军. 有机薄膜晶体管及其集成电路 [J]. 现代显示, 2007,(78): 7-14.

Lee J, Kim K, Kim J, et al. Optimum channel thickness in pentacene-based thin-film transistors [J]. Appl. Phys. Lett., 2003, 82(23):4169-4171.

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