铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究

郭美霞

doi:10.3788/YJYXS20112602.0161

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铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究

器件制备技术及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究
- Preparation and Characterization of Al-Ti Co-Doped Zinc Oxide Films
- 液晶与显示 2011年26卷第2期页码：161-164
- 作者机构：
  
  山东理工大学理学院,山东淄博,255049
- 作者简介：
  
  [ "作者简介: 郭美霞(1963-),女,山东烟台人, 副教授,主要从事宽禁带半导体方面的研究工作。" ]
- 基金信息：
- DOI：10.3788/YJYXS20112602.0161
  中图分类号： TN304.2
- 收稿日期：2010-09-04，
  
  修回日期：2010-10-07，
  
  网络出版日期：2011-04-06，
  
  纸质出版日期：2011-04-06
- 稿件说明：
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郭美霞. 铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究[J]. 液晶与显示, 2011,26(2): 161-164

GUO Mei-xia. Preparation and Characterization of Al-Ti Co-Doped Zinc Oxide Films[J]. , 2011,26(2): 161-164
郭美霞. 铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究[J]. 液晶与显示, 2011,26(2): 161-164 DOI： 10.3788/YJYXS20112602.0161.

GUO Mei-xia. Preparation and Characterization of Al-Ti Co-Doped Zinc Oxide Films[J]. , 2011,26(2): 161-164 DOI： 10.3788/YJYXS20112602.0161.

摘要

用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了铝钛共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜

研究了溅射压强对TAZO薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明

所制备的TAZO 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜

且具有

轴择优取向。当溅射压强为7.5 Pa时

薄膜的最小电阻率为3.3410

-4

cm。薄膜的可见光区平均透过率大于89%。溅射压强对薄膜的电阻率和微观结构有显著影响。

Abstract

Transparent conducting Al-Ti co-doped zinc oxide films have been successfully prepared by DC magnetron sputtering. Microstructural

optical and electrical properties of TAZO films are investigated. The experimental results show that all the deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and a preferred orientation perpendicular to the substrates along the

-axis. When the sputtering pressures is 7.5 Pa

the lowest resistivity is 3.3410

-4

cm. All the films present a high transmittance of above 89% in the visible range. The sputtering pressures plays an important role on the microstructure and electrical resistivity of TAZO films.

关键词

Keywords

references

郝晓涛,马瑾,马洪磊,等.薄膜厚度对ZnO∶Al透明导电膜性能的影响 [J]. 液晶与显示, 2002,17(3):169-174.[2] 任明放,王华,许积文,等.掺杂及工艺条件对室温制备ZnO ∶ Al性能的影响 [J]. 液晶与显示, 2009,24(1):52-56.[3] 徐艺滨,杜国同,刘维峰,等.ZnO-Al透明导电薄膜的制备及其特性分析 [J]. 人工晶体学报, 2006,35(3):569-572.[4] 刘汉法,张化福,袁玉珍,等.掺钛氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 [J]. 半导体技术, 2009,34(11):1092-1095.[5] 余旭浒,马瑾,计峰,等.薄膜厚度对ZnO ∶ Ga透明导电膜性能的影响 [J]. 功能材料, 2005, 36(2):241-243.[6] Liu H F, Zhang H F, Lei C X, et al. Influence of the sputtering pressure on the properties of transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputtering [J]. J. Semiconductors, 2009, 30(2):02300(1-4).[7] Zhang H F, Lei C X, Liu H F, et al. Low-temperature deposition of transparent conducting ZnO ∶ Zr films on PET substrates by DC magnetron sputtering [J]. Appl. Surface Science, 2009, 255(11):6054-3056.[8] 刘汉法,张化福,类成新,等. 薄膜厚度对ZnO ∶ Zr透明导电薄膜光电性能的影响 [J]. 液晶与显示, 2008,23(6):707-710.[9] 郭金玲,沈岳年.用Scherrer公式计算晶粒度应注意的几个问题 [J]. 内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版), 2009,38(3):357-358.[10] 周继承,李莉.溅射气压对 ZnO 透明导电薄膜光电性能的影响 [J]. 中国有色金属学报, 2009,19(7):1278-1283.

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